表面复合对少子寿命测量影响的定量分析.docVIP

表面复合对少子寿命测量影响的定量分析 我们测量硅单晶、铸造多晶以及单晶硅片、多晶硅片的少子寿命，都希望得到与真实体寿命相接近的测量值（表观寿命），而不是一个受表面影响很大的表面复合寿命。因为在寿命测量中只有才能真正反映半导体材料的内在质量，而表面复合寿命只能反映样品的表面状态，是随表面状态变化而变化的变数。 通过仪器测量出的寿命值我们一般称为表观寿命，它与样品体寿命及表面复合寿命有如下关系，公式（1）由SEMI MF28-0707给出的计算公式(0 =（(0或表示体寿命）推演出来： （1） 即仪器测量值，它实际上是少子体寿命和表面复合寿命的并联值。 光注入到硅片表面的光生少子向体内扩散，一方面被体内的复合中心（如铁原子）复合，另一方面扩散到非光照面，被该表面的复合中心复合。 光生少子在体内平均存在的时间由体复合中心的多少而决定，这个时间就称为体寿命。如果表面很完美，则表面复合寿命趋于无穷大，那么表观寿命即等于体寿命。 但实际上的表面复合寿命与样品的厚度及表面复合速度有关。 由MF1535-0707中给出 （2）可知，其中： =——少子从光照区扩散到表面所需的时间 =——少子扩散到表面后，被表面（复合中心、缺陷能级）复合所需要的时间 ——样品厚度 D——少子扩散系数，电子扩散系数Dn=33.5cm2/s，空穴扩散系数D