第二章集成电路的半导体器件合编.ppt

2.1 半导体的特性 2.2 PN结和晶体管 2.3 双极型晶体管 2.4 MOS场效应晶体管 2.5 集成电路的无源器件 导体：电阻率小于10-4Ω.cm，很容易导电，称为导体.如铜、铝、银等金属材料； 绝缘体：电阻率大于1010Ω.cm，很难导电，称为绝缘体，如塑料、橡胶、陶瓷等材料； 半导体：电阻率在10-3~109Ω.cm，导电能力介于导体和绝缘体之间，例如硅(Si)和锗(Ge)等半导体材料； 硅作为集成电路半导体材料的主要原因： 1. 硅含量丰富（占地壳27%）； 2. 硅提纯和结晶方便； 3. 硅的器件工作温度高； 4. SiO2膜的钝化和掩模作用是器件的稳定性以可靠性提高。 2.1.2半导体的晶体结构 1. 金刚石型结构 2. 闪锌矿型结构 3. 纤锌矿型结构 2.1.3半导体中的电子状态 1 能级与能带 共有化运动——在晶体结构中，大量的原子按一定的周期有规则的排列在空间构成一定形式的晶格。如果原子是紧密堆积的，原子间间距很小。晶体中原子能级上的电子不完全局限在某一原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，结果电子可以在整个晶体中运动。 电子共有化的原因：电子壳层有一定的交叠，相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。 原子彼此接近时的能级图并说明 E(k )与k的关系是一种定性的关系，必须找到 E(k )函数才能找到定量关系。 对半导体来说其作用的常常是能带底部或能带顶部的电子或空穴，因此只要找到能带底部或能带顶部（能带极值附近）E(k )与k的关系 能带顶部附近的E(k )与k的关系 内层电子共有化运动弱，能量窄，极值二级微商（曲线曲率|）小，有效质量大； 外层电子的能带宽，有效质量小，加速度大； 不同材料，不同方向，有效质量不同 （4）半导体中的空穴： 。 将一维E(k )在k=0附近按泰勒级数展开 E(k)=E(0)+(dE/dk)k=0k+(1/2)(d2E/dk2)k=0 k2 +· · · (dE/dk) k=0 =0 晶体中能带底部和顶部E(k )与k的关系 0 k E 假定E(0)：能带底的能量 对给定的晶体， (d2E/dk2) k=0是一个常数 晶体能带底部附近有： -----能带底部电子的有效质量，大于零。 0 k E 令 假定E(0)：能带底的能量 能带底附近 -----能带顶部电子的有效质量 能带顶电子有效质量小于零 0 k E 能带顶附近 令 半导体中电子的运动规律不同于自由电子 ——受到晶体内部周期势场的影响 （2）电子的平均速度： 自由电子的平均速度： P=m0v 晶体中的电子的平均速度： 量子力学理论证明：晶体中作共有化运动的电子的平均速度不随周期势场起伏变化。只与波矢有关。 （3）电子的加速度 许多半导体都是在一定的外加电压下工作，半导体内部产生电场。这是电子受到周期性势场和外加电场的作用 外加电场作用，外力对电子作功， 电子所受外力与加速度的关系与牛顿第二运动定律类似， 不同的是用电子有效质量代替惯性质量。 电子的有效质量的意义： （1）晶体中的电子一方面受到外力的作用，另一方面，受到内部原子及其他电子的势场作用。电子运动状态的变化是半导体内部势场和外力作用的综合结果。 （2）内部势场计算困难。 （3）引入有效质量可使问题简单化，可以不涉及内部势场的作用，直接把外力和加速度联系起来，而有效质量概括了内部的势场作用。 （4）有效质量可以直接测定。 能量、速度、有效质量与波矢的关系： 正有效质量 负有效质量 m*n O k O E - 1/2a 1/2a O V 能带底电子有效质量大于零 能带顶电子有效质量小于零 -1 /a - 1/2a 0 1 /2a 1/a k E 允带 允带 允带 允带 * 系 第 二 章 集成电路的半导体器件 半导体的特性 电子、 空穴的状态 半导体器件是构成各种 电子电路最基本的元件 二极管 三极管 MOS场效 应晶体管 集成电路（IC）是导体、半导体和绝缘体的有机组合体。 但半导体在IC制造中起到根本性的作用。 半导体是构成当代微电子的基础材料。 指通过一系列特定的加工工艺，将多个晶体管、 等有源器件和电阻、电容等无源器件，按一定的电路连 接集成在一块半导体单晶片或其他基底片上，作为一个 不可分割的整体执行某一特定功能的电路组件 有源器件 （器件工作时需要电源） 2.1 半导体的特性 2.1.1半导体材料 2.1.2半导体的晶体结构 2.1.3半导体中的电子状态 2.