Bulk Gas Piping 设计概念1.docVIP

Bulk Gas Piping 設計概念CONTENTSTOTAL GAS SUPPLY SYSTEM1-1.大宗氣體系統簡介2.流量及壓力、壓降的關係 2-1.理想氣體方程式 2-2.壓降(Pressure Drop)及Cv值(Cv volume) 2-3.CAL.xls應用3.管路設計形式及注意事項 3-1.管路分佈圖(Piping distribution drawing) 3-2.管路設計注意事項4.材料的選擇 4-1.管材選擇 4-2.閥件選擇1.TOTAL GAS SUPPLY SYSTEM大宗氣體系統簡介大宗氣體種類：半導體廠所使用的大宗氣體有：CDA、GN2、PN2、GO2、PO2、PAr、PHe等。CDA (Clean Dry Air)：壓縮乾燥空氣GN2 (General Nitrogen)：一般氮氣PN2 (Pure/Process Nitrogen)：高純度/製程氮氣GO2 (General Oxygen)：一般氧氣PO2 (Pure/Process Oxygen)：高純度/製程氧氣PAr (Pure/Process Argon)：高純度/製程氬氣PHe (Pure/Process Helium)：高純度/製程氦氣有關於大宗氣體詳細資料，請參閱『大宗氣體特性及系統簡介』-方維中，在此不多做陳述。2.流量及壓力、壓降的關係 2-1.理想氣體方程式 2-2.壓降(Pressure Drop)及Cv值(Cv volume) 2-3.CAL.xls應用3.管路設計形式及注意事項 3-1.管路分佈圖(Piping distribution drawing) 3-2.管路設計注意事項 流量的計算 合理管徑的採用 管路路徑安排 壓降計算 4.材料的選擇4-1.管材選擇 TUBE PIPE選料依據： 隨著半導體製程的演進，對於管材的要求漸趨嚴謹，早期氣體管路大部份以銅管作為配管材料，進而逐漸演變為使用不鏽鋼系列為主。 不鏽鋼的材質主要以碳鋼為基材，再添入其他合金元素，改善機械性質等。 依據使用氣體種類及業主需求選定材料等級。（如316L BA、316L EP、316L VIM+VAR） 尺寸：有1/8”、1/4”、3/8”、1/2”、3/4”、15A、20A、25A…300A等。 習慣上3/4”以下的管稱為TUBE，1”以上稱為PIPE。管壁厚度規格有sch5S 、sch10S、 sch15S 、sch20S…..，數字越大代表管壁越厚其選取分為管徑、材料及表面處理程度。材料主要區分為SUS 304、SUS 304L及SUS 316、SUS 316L，其差異在於SUS 316增加鉬（Mo）金屬，改善其機械性質，L則表示材料降低含碳（C）量，增加含鎳（Ni）量。表面處理等級常用可分BA、EP。BA是經過表面研磨處理，其Rmax≦4.5μm，EP除了表面研磨外，再加以電解研磨(ELECTRIC POLISH)，其Rmax≦0.7μm。另外管材（含FITTING）又因原始製程不同而區分為VOD、VIM+VAR，其中V+V較為優良。 管材選用原則選擇大宗氣體管路材料時，須朝氣體特性、用量及壓力作選擇，考慮使用何種管 徑。BA管材適用Gas Yard至Filter(for gas yard)、Filter至Purifier。EP 管材適用Purifier之後管路，針對已純化氣體使用。VIM+VAR處理管材因對於1/2”尺寸以上(不含1/2”)，製程方面較不容易生產 ，目前僅使用於specialty gas piping。由於銲接形式採用自動銲接及手銲兩種。故管壁厚度選擇亦分為Sch5S/Sch10S兩種較常使用。 4-2.閥件選擇 VALVE一般分為BALL-VALVE（球閥）、BELLOWS-VALVE（波紋管閥）及 DIAPHRAGM-VALVE（隔膜閥）。另外又因作動方式區分為MANUAL-VALVE（手動閥）及AIR-VALVE（氣動閥）。依Cv值大小排列為BALL-VALVE BELLOWS-VALVEDIAPHRAGM-VALVE。 閥件銜接形式有下列幾種: 3/4”(含3/4”)以下:VCR/SWGELOK/WELDING 3/4”以上:WELDING/UNION/FLANGE 由於半導體廠房對於氣體用量需求很大，且針對未來擴充需求使用，除了管徑須計算安全管徑之外，對於銲接時所需，因此衍生出Purge port及Purge valve，作為銲接時通入Ar之用及管路吹淨使用。 Purge port:吹氣端。通常位於閥體上，且有inlet 及 outlet區分。 Purge valve:控制吹