高压PWM电源制器MAX5003.docVIP

1. MAX5003的主要特性 　　MAX5003是Maxim公司新推出的电源控制器，该芯片可用于设计隔离或非隔离的高电压反激或正激模式的DC－DC转换器，主要特性如下：　　●内置高压启动电路，允许输入电压范围为11～110V；　　●工作频率高达300kHz，外部可选用微型磁性元件和电容器；　　●采用QSOP封装，比SO－14封装的同类芯片小43％；　　●设计灵活简单，可根据需要进行设置： 电流限制、最大占空比、振荡频率、欠压锁存和软启动等；　　●具有外同步工作模式；　　●精密的内部基准可保证在全温范围内精度达±2.5％；　　●电源电流仅2.2mA；　　●输入前馈补偿，加速线瞬态响应。 2. MAX5003的内部结构 　　MAX5003的内部结构如图1所示，它在电压模式控制器的基础上增加了快输入电压前馈、可编程最大占空比和高工作频率等功能。具有电流模式控制器的优点，能较好的控制环路带宽、输入电压变化和保持相同周期响应及脉冲间限流等；同时也避免了噪声干扰和设计困难等不足。2.1 内部稳压电路　　MAX5003在较宽的工作电压范围内可保持较低的功率损耗，输入电压可通过V＋、ES、VDD三个输入引脚接入。当输入电压较高时（36V至110V），输入由V＋端连接到内部场效应管的漏极进行预稳压，此时，输入与电源地（PGND）之间需接0.1μF的去耦电容，预稳压器将输入电压降至足够低的电平，以满足第一级低压差稳压器（VDD LDO）的要求，VDD LDO的输入端由ES引出，ES端应再加0.1μF的去耦电容。当最大输入电压低于36V时，将ES引脚与V+引脚相连并接0.1μF的去耦电容。VDD LDO的输出端为VDD， 输出电压的典型值为9.75V，用来为欠压锁存电路和VCC LDO供电，VDD与AGND间加5～10μF的去耦电容。当最大输入电压低于18.75V时，输入电压可接在VDD端，在这种情况下，VDD作为电源输入端与V＋、ES连接在一起。如果加在VDD的电压高于10.75V，则第一级LDO不工作，电流损耗只有50μA。??? 因为VDD电压对于外部N沟道MOSFET过高，所以在VDD LDO之后采用了第二级稳压电路，包括：VCC LDO、电源总线内部逻辑电路和模拟电路和外部功率MOSFET驱动器。VCC LDO带有锁存输出，当VCC LDO不工作时，可将N沟道MOSFET驱动器的输出与地短路。VCC LDO的输出电压为7.4V至12V，该电压除欠压检测电路、VCC锁存输出逻辑电路和线性稳压电源外，为MAX5003内部的所有电路供电。　　MAX5003驱动器输出用于驱动N沟道MOSFET，输出端灌出、吸入相当大的电流以满足MOSFET切换时栅极电荷量的需要，该电流等效于栅极开关电荷量与工作频率的乘积，它决定了MAX5003的降压功耗，VCC端应接较大的储能电容（5μF～10μF）。驱动器可灌出560mA、吸入1A瞬态电流，源阻抗典型值为4Ω，空载输出电平为VCC。　　带隙基准源提供3V的基准电压，引出脚为REF，输出电流可达1mA。当VREF低于标称值200mV时，锁存输出REFOK将关断振荡器和输出驱动电路。由于VREF为误差放大器提供基准，VREF的变化将直接影响电压的稳定输出，因此，应尽量减小REF端的负载。2.2 欠压检测和关断控制　　当INDIV端的电压低于1.2V时，欠压检测器（滞回电压为120mV）产生一欠压锁存信号，用于关闭控制器；当INDIV端的电压高于1.2V ＋ 0.12V(滞回) = 1.32V时，控制器重新开启。INDIV端的信号由连接在电源与AGND端的电阻分压器（R1、R2）提供，该信号也可作为快输入前馈电路的信号。利用欠压检测功能，可将INDIV引脚作为关断控制端，通过外接一个对地的开关即可实现关断控制。2.3 电流检测与误差放大　　电流检测（CS）比较器及其相关的逻辑电路用于限制流过功率开关管的电流，在外部功率开关MOSFET的源极与地之间接一限流电阻Rcs，CS引脚的电压与流过RCS的电流相对应，通过检测CS端的电压可对流过功率开关管的电流加以监测。通常在CS端与MOSFET源极之间连接一个100Ω电阻或RC低通滤波器（图2）。当功率MOSFET关断时，CS接地；重新开启时，CS将保持接地状态70ns，以避免开关瞬态噪声引起的误操作。当VCS100mV时，功率开关管被关断，从开关电流超出门限值到驱动电路断开的延迟时间为240ns。如果不需要电流限制，CS引脚应接PGND。　　MAX5003内部误差放大器为一积木式模块，为MAX5003的应用提供了灵活性。放大器的单位增益带宽为1.2MHz，开环增益为80dB，单位增益稳定。其同相输入端偏置在1.5V，由内部3V基准源提