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* * * * 第0章 4种基本器件结构。 金属-半导体接触：整流接触，欧姆接触。金半场效应晶体管（MESFET）：整流接触，栅极；欧姆接触，漏极、源极。 p-n结：半导体器件的关键结构，其理论模型是半导体器件物理的基础；p-n-p双极型晶体管。 异质结：由两种不同半导体材料形成的；高速器件、光电器件的关键构成。 金属-氧化物-半导体结构 （MOS）：可制作MOSFET，MOS结构，栅极；p-n结，漏极、源极。 第1章 立方晶系基本的晶体结构（每个晶胞中所含的原子数） 简立方（1=8*1/8）、体心立方（2=8*1/8+1）、面心立方（4=1/2*6+1） 金刚石晶格结构（Si）（8） 闪锌矿晶格结构（GaAs）（8） 密勒指数的求解。 一般同一种半导体材料的导带电子有效质量小于价带空穴有效质量。 直接带隙半导体（GaAs）cf. 间接带隙半导体（ Si、Ge ）。 热平衡状态：恒温下的稳定状态，且无任何外来干扰（如照光、压力或电场）。载流子浓度不变，热扰动，动态平衡。 近似条件下导带电子浓度为 价带中的空穴浓度为 本征半导体，本征载流子浓度ni，本征费米能级Ei。室温下，本征半导体的费米能级Ei相当靠近禁带的中央。 非本征半导体，施主、受主（杂质种类判断），杂质能级、n型半导体、p型半导体、多子、少子概念。 非简并半导体：电子或空穴的浓度分别远低于导带或价带中有效态密度，即E