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手机相关词汇 旁路电容不是理论概念，而是一个经常使用的实用方法，电子管或者晶体管是需要偏置的，就是决定工作点的直流供电条件。例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压，为了在一个直流电源下工作，就在阴极对地串接一个电阻，利用板流形成阴极的对地正电位，而栅极直流接地，这种偏置技术叫做“自偏”，但是对（交流）信号而言，这同时又是一个负反馈，为了消除这个影响，就在这个电阻上并联一个足够大的电容，这就叫旁路电容。 容量为uf级的电容，象电解电容或钽电容，他的电感较大，谐振频率较小，对低频信号通过较好，而对高频信号，表现出较强的电感性，阻抗较大，同时，大电容还可以起到局部电荷池的作用，可以减少局部的干扰通过电源耦合出去；容量为0.001~0.1uf的电容，一般为陶瓷电容或云母电容，电感小，谐振频率高，对高频信号的阻抗较小，可以为高频干扰信号提供一条旁路，减少外界对该局部的耦合干扰。 去藕是为保正输出端的稳定输出（主要是针对器件的工作）而设的“小水塘”，在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作；补充一点就是所谓的藕合：是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件 有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。 从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。 去耦电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。 旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。 晶体压控振荡器的频率稳定度高，但调频范围窄，RC压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽，LC压控振荡器居二者之间。 PSRAM：假静态随机存储器 PMU:电源管理单元 Auxiliary：辅助 VCM：马达？ DCXO：晶体振荡器 DAI：直接存储 Strobe：选通 PSRAM：假静态随机存储器 UART：通用异步收发器 LDO：低压差 IRDA：红外数据通讯 VTCXO：基准时钟电源 Current Sink：电流池，用于LED电源 PMIC：电源管理集成电路 VDD：电源电压；VBAT：电池电压 SDM：空分复用 PFD：分频器 OPLL：光锁相环 AVDD：模拟电源 AFE：模拟前端 SPI：外接串行接口。摩托罗拉手机电路专有名词。 SPICLK：串行接口时钟。 　　SPIDAT：串行接口数据。 　　SPK：受话器、听筒。参见EAR。 　　SRAM：静态随机存储器。 　　STDBY：待机。 　　SW：开关。 　　SWDC：未调整电压。 　　SW-RF：射频开关。 　　SYN：合成器。 　　SYN2.8V：频率合成器2.8V电源。 　　SYNSTR：频率合成器启动。 　　SYNCLK：频率合成时钟。 　　SYNDAT：频率合成数据。 　　SYNEN：频率合成使能。 　　SYNON：频率合成启动。 　　SYNTHPWR：频率合成电源控制。 　　TACS：全接人移动通信系统。 　　TCH：话音通道。 　　TEMP：电池温度检测端。 　　TEST：测试。 　　TP：测试点。 　　TRX：收发信机。 　　TX：发信。 　　TX-KEY-OUT：发射时序控制输出。 　　TXGSM：TXVCO输出的GSM信号。 　　TXDCS：TXVCO输出的DCS信号。 　　TXC：发信控制。 　　TXIF：发射中频。 　　TXEN：发射使能、启动。当该信号有效时，发射机电路开始工作。 　　TXVCO：发射压控振荡器。 　　TXVCOOFF：发射VCO启动控制信号。 　　TXI／Q：发送数据。 　　TXON：发射启动。参见TXEN 　　TXPWR：发射电源控制。 　　UHFVCO：射频VCO，一般表示一本振VCO，同RXVCO、RFVCO。 　　UNREGISTERED：未注册的。 　　VBATT：电池电压。 　　VBOOST：升压电源。 　　VCC：电源。 　　VCCMIX：混频器电源。 　　VCTCXO：温补压控振荡器。 　　VCO：压控振荡器。该电路将控制信号的变化转化为频率的变化，是锁相环的核心器件。 　　VCXO：基准时钟电源，有的手机用VXO等表示。