ITO湿法表面粗化初探.docVIP

ITO湿法表面粗化刘娉娉大连路美芯片科技有限公司大连经济开发区黄海大道1号，邮编116600大连路美芯片科技有限公司摘要本文采用浓H2SO4对ITO表面进行粗化，比较不同腐蚀温度及腐蚀时间对ITO表面形貌影响，利用AFM及SEM对ITO表面进行表征，制作45mil LED芯片，经过粗化后的芯片亮度增加可达10%以上。浓H2SO4前言 LED被称为第四代照明光源或新一代绿色光源，具有高节能、利环保、寿命长、体积小、多变幻等，响应快等特点，可以广泛应用于汽车、通讯、消费性电子、工业仪表、各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市亮化等领域。近年来，为了提高LED芯片的发光效率，人们在LED的内量子效率的提高和取光效率方面做了大量的研发工作，随着其发光效率的，LED有成为次世代照明光源。 由于半导体材料远大于空气折射率，对于封装的LED裸芯，内部产生的光在出射时会在界面处发生全反射现象，从而造成大量的光无法出射，强烈的内全反射导致芯片的外量子效率非常低。在外延片p-GaN表面利用生长条件改变、化学方法或干法蚀刻等方法在外延表面形成某种光学微结构（粗化、光子晶体或图像化），可以减少全反射的现象，从而提高出光效率。但外延层p-GaN层较薄，对其表面处理易损伤，影响到多子阱层，从而降低LED的性能。 本文采用化学湿法腐蚀对p-GaN层表面的ITO层进行粗化，即可以保护GaN层不受损失，同时