单晶硅片工艺流程技术文件.docVIP

一次清洗工艺说明 1.目的 确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态 2.使用范围 适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序 3.责任 本工艺说明由技术部负责 4.硅片检验 4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求； 4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；(见附图一、二) 4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内 ，作统一处理。 5.装片（见附图三） 5.1 片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插25片硅片。 5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。 5.3 操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。 6.上料（见附图四） 6.1 硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。 6.2 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有适当的间隔。 7化学腐蚀液的配制 7.1 准备：将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。 7.2 配制：向5、6、8、10#槽中注满去离子水，1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水，按照“7.3” 比例分别向各槽加入指定量的化学药品，再注去离子水达到指定的高度。 7.3 化学腐蚀液的配制比例（见下表） 　槽号 1#槽 2-4#槽 7# 9#槽 功能 去损伤层 制绒 去Na2SiO3 去金属离子 清洗液组成 氢氧化钠 氢氧化钠 异丙醇 硅酸钠 氢氟酸 盐酸 NaOH NaOH IPA Na2SiO3·9 H2O HF HCl 标准浓度（克/升） 40±5 18±5 5±2 3±1 53±5 84±5 加入试剂 9千克 2千克 12升 6千克 16升 32升 加入试剂（瓶) 18 4 3 12 4 8 液面高度（厘米） 42 32 32 32 30 30 7.4 配制溶液要求： 7.4.1 配料顺序：1#槽按水、氢氧化钠的顺序；2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。 7#槽按水、氢氟酸、水的顺序；9#槽按水、盐酸、水的顺序。 7.4.2 时间要求：2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后，需等待10分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后，才能加异丙醇。1#槽配制完毕后,温度达到工艺要求之后，同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后，才可进硅片。 7.4.3 异丙醇加液要求：需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部，在硅片进入1#槽之后才能加异丙醇，减少异丙醇的挥发。 8.各化学药品规格及要求 8.1 氢氧化钠：电子纯，容量500克/瓶，浓度 ≥98%。 8.2 异丙醇：电子纯，容量4升/瓶，浓度≥99.9%，密度0.78克/毫升。 8.3 硅酸钠：电子纯，容量500克/瓶。 8.4 盐酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度36%～38%，密度1.18克/毫升。 8.5 氢氟酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度≥49%，密度1.13克/毫升 。 9.工艺过程化学药品的补加（见下表） 9.1 工艺过程7、9#槽不需补加化学药品，1-4#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加： 槽号 1#槽 2～4#槽 每清洗一篮硅片 排液(cm) 补加NaOH 补加NaOH 补加IPA 1.5±0.5 25±10g 25±10g 4升（一瓶） 备注 清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升IPA，最多补加6升（1.5瓶）。 10.各槽化学液更换频率（见下表） 工艺正常操作时（不允许全部排液、重新配液） 槽号 1#槽 2～4#槽 7#槽 9#槽 更换周期 24小时 24小时 12小时 12小时 更换时间 早班交接班 早班交接班 交接班 交接班 工艺不正常时（1～4号槽）更换条件 工艺不正常状态1 连续停机8小时以上，要求全部换液重配 工艺不正常状态2 2～4#槽，其中一槽连续3篮硅片出现白斑，可以对该槽单独重新配液。 工艺不正常状态3 2～4#槽，其中一槽硅片出现白斑超过50%，可以对该槽单独重新配液。 工艺不正常状态4 2～4#槽，连续都出现白斑，可以对1#槽单独重新配液。 11.清洗腐蚀工艺参数的设置 （见下表） 11.1 小片盒放置硅片 11.1.1 使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置（见下表） 槽位 1#槽 2-4#槽 5#槽 6#槽 7#槽 功能 去损伤 制绒 漂洗 喷淋 去Na2SiO3 时间 270±30μm 240±30μm 230±30μm 30 min 5 min 5 min 1 min 4min 2min 1min 温度℃ 65±2 83±2 常温 常温 常温 槽位