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* 先進的STI : 高密度電漿 CVD 沉積USG （Un-doped Silicate Glass）非掺杂硅（酸盐）玻璃 P型磊晶層 P型晶圓 N型井區 P型井區 氮化矽 氮化矽 USG USG * 先進的STI : CMP  停止於氮化矽 P型磊晶層 P型晶圓 N型井區 P型井區 Nitride Nitride USG * 先進的STI : 氮化矽剝除 P型磊晶層 P型晶圓 N型井區 P型井區 USG STI * 第三章 复习 氧化硅的结构、性质 二氧化硅在集成电路中的用途 什么是硅的热氧化？热氧化的方法都有哪些？各自的优缺点是什么？ 影响氧化速率的因素都有哪些？ 快速加热制程特点？应用？ 隔离技术分为？绝缘隔离技术主要有哪2种？ LOCOS的工艺流程？存在的主要问题？如何克服？ 衬垫氧化层的作用？ STI工艺流程？ * 尽管SiO2是非晶态，但仍然存在短程有序（short range order).结构分子式可写为SiO44-.Si原子，正四价，位于正四面体的中央，氧离子（负2价），位于4个角上。Si和氧正四面体的间距为1.62A, 氧和氧间距为2.27A. 对结晶SIO2，四面体之间由桥连氧相连；对非晶态SIO2，很多四面体之间有非桥连氧原子，这些氧原子没有共享。 玻璃中原子运动大多是氧原子运动，而不是硅原子运动；因为施放一个Si原子需要打破四个Si－O键；而施放一个桥连氧原子，仅需打破两个Si－O键。 * 所謂的漏電流﹐是由于電容的絕緣介質中不完全的絕緣﹐而是有一定的阻抗﹐故存在損耗現象﹐而在一部份損耗以電流的形式表現出來就是漏電流。 * * * 系统在某一过程中，温度升高（或降低）1℃所吸收（或放出）的热量叫做这个系统在该过程中的“热容量 * 矽局部氧化的鳥嘴 鳥嘴 LOCOS LOCOS 元件區 元件區 * 矽局部氧化的問題 鸟嘴 二氧化硅内部的横向扩散引起的 在氮化硅层下生长 “鸟嘴”区属于无用的过渡区，既不能作为隔离区，也不能作为器件区，浪费许多硅表面区域，这对提高集成电路中的集成度极其不利 不平坦的表面 氧化层在硅表面上成長 局域氧化层的高度对后道工艺中的平坦化也不利，影响光刻制程和薄膜沉积 * 如何抑制鸟嘴效应 人们采用了很多方法来抑制鸟嘴效应，其中最普遍的就是多晶硅缓冲PBL(poly buffered LOCOS)制程。 使用一层多晶硅(500A)来缓冲氮化硅的应力，这样，衬垫氧化层的厚度就能从大约500Ａ减小到100A，这样就可以大大减少氧化物的侵入。 * 多晶矽緩衝層(PBL) LOCOS P型基片 氮化矽 多晶矽 P型基片 p + p + 氮化矽 多晶矽 P型基片 p + p + SiO 2 氮化矽 P型基片 p + SiO 2 p + 成長襯墊氧化層、沉積多晶矽及氮化矽 蝕刻氮化矽、多晶矽及氧化層、硼佈植 氧化反應 剝除襯墊氧化層、多晶矽及氮化矽 * 多晶矽緩衝層(PBL) LOCOS 降低 “鳥嘴” 在LPCVD 氮化矽之前沉積多晶矽 橫向擴散的氧會被多晶矽層所消耗 把鳥嘴降低到 0.1 ~ 0.2 mm. * LOCOS工艺的局限 改进的LOCOS工艺可以大大减少氧化物的横向侵入。但是无论人们如何努力，仍旧会有0.1 到0.2微米的鸟嘴。当最小图形尺寸比0.25微米要小的时候，这么小的鸟嘴也变得难以忍受。于是发展出了浅槽隔离STI(Shallow Trench Isolation)制程。 * 浅沟槽隔离(STI)是一种全新的器件隔离方法，它可以在全平坦化的条件下使“鸟嘴”区宽度接近于零，目前已成为0.25m以下集成电路生产过程中的标准器件隔离技术。 2.浅沟槽隔离(STI) * 在浅沟槽隔离法中，用干刻方法在硅衬底上各向异性地刻出一个深度约为0．3微米至0．8微米的沟槽。在刻蚀沟槽时，活动区用光刻胶保护起来不受影响。接下来用CVD法在硅圆晶片表面沉积—层二氧化硅，再用回蚀法仅保留下沟槽中的二氧化硅，而把其它区域的二氧化硅全刻掉，使回蚀后的表面与原来的硅表面在同一平面上, 如下图。 * STI技术中的主要绝缘材料是淀积氧化物。 * 早期的STI製程 氧化物回蝕刻（etchback） 先進的STI製程 氧化物 CMP 早期的和先进的STI制程 * P型基片 早期的STI: 晶圓清洗 * 襯墊氧化層 P型基片 早期的STI: 成長襯墊氧化層 * 襯墊氧化層 P型基片 氮化矽 早期的STI : LPCVD氮化矽 * 襯墊氧化層 P型基片 光阻 氮化矽 早期的STI : 光阻塗佈 * P型基片 光阻 氮化矽 早期的STI : STI 光罩對準 * P型基片 光阻 氮化矽 早期的STI : STI 光罩曝光 * P型基片 光阻 氮化矽 早期的S