5、第五章化合物半导体器件.pptVIP

5.6.3 雪崩击穿二极管 特性 雪崩光电二极管的增益机理是雪崩倍增，雪崩倍增是碰撞电离的结果，通常会重复多次。 离子化系数 放大因子 对于硅基APD，光子的吸收区就是其雪崩击穿区。 而GaAs/AlGaAs APD ，则将吸收与放大区分离，称为SAM-APD。 5.6.4 MSM探测器 MSM（金属-半导体-金属）探测器 在两个金属电极之间是叉指结构，为完全耗尽。 叉指间的间隙要小，以保证渡越时间限制小。 MSM器件的电容由两部分构成：一是与叉指结构间隙相平行的电容，二是两个电极对地的电容。 后一个电容要尽可能小，以便使器件的RC时间常数尽可能小。 金属层构成了MSM的有源区。 5.6.4 MSM探测器 MSM（金属-半导体-金属）探测器 MSM器件的响应速度非常快，但这些器件的灵敏度受叉指的阴影效应的影响。 叉指电容远小于p-i-n二极管的电容，故MSM探测器的RC时间常数非常小。 在没有阴影效应影响的情形下，电极宽度为1μm，电极间的间隙为2μm的InGaAs MSM探测器的量子效率可高达70%。器件的带宽可达20GHz。 5.4 HEMT 1 HEMT器件结构 AlGaAs/GaAs HEMT的截面结构与能带结构 5.4 HEMT 值得注意的是，由电子积累层在未掺杂GaAs沟道中所形成的电场强度非常强，达到了107V/m量级，因此，该电场就将电子限制在一个非常窄的近似三角形的凹槽中，离界面处的距离为15-20nm。 这一尺寸与电子的波长相当，就会导致在与界面垂直的方向上出现电子动量的量子化，于是电子就只能在二维空间中运动。 正是因为这个原因，电子积累层通常被称为二维电子气（2DEG）。 5.4 HEMT 2 直流特性 HEMT器件的输出特性 与MESFET器件输出曲线非常相似，同样也有线性区和饱和区。 在线性区 在饱和区 5.4 HEMT 2 直流特性 阈值电压 夹断电压 跨导 截止频率 5.4 HEMT 3 射频特性 运用等效电路模型，总的延迟时间可表示成 焊盘延迟时间 叉指电容引起的延迟时间 漏极延迟时间 漏极延迟在0.1ps-0.5ps之间，与栅长无关。 典型值:0.1-0.2ps 本征延迟时间 本征延迟分为：栅极下电子的瞬态延迟时间（ttransit）和沟道充电时间（tcc） 。 瞬态延迟是W/IDS=0处的线性外延延迟时间，沟道充电延迟时间是本征延迟时间与瞬态延迟时间的差值。 5.4 HEMT 3 射频特性 沟道充电延迟时间在低漏极偏置条件下影响非常显著，如低噪声放大器。但在漏极电流大的应用下是可以忽略的。除此之外，所有的寄生延迟对漏极电流的变化都十分的敏感，在漏极电流较低时，都会随着电流的增加而增大。 基于InP的HEMT器件与GaAs赝HEMT器件的非本征跨导与阈值电压的关系图。 5.4 HEMT 3 射频特性 本征FET器件的四个噪声参数 5.4 HEMT 4 当代HEMT技术 1)赝GaAs HEMT 2)双异质结GaAs HEMT 3)晶格匹配赝InP HEMT 4)形变GaAs HEMT 5.5 半导体光源 半导体光电器件，即半导体光源和半导体光电探测器，这些器件主要是用化合物半导体来制备的，这主要是基于以下两个方面的原因： 一是大部分化合物半导体是直接跃迁半导体，其光电转化效率高； 其次，化合物半导体材料禁带宽度有一个较大的变化范围。 未来化合物半导体光子器件可用来构建光电集成电路和光学计算机 半导体光源是将输入的电能转化为光能的器件，其机理是电致发光，即在一定的偏置下，由通过器件的电流产生光的现象。 LED（发光二极管） LD（激光二极管） 5.5.1 LD 1 LD原理 图5.32 基于GaAs的DH结构激光二极管。 典型的基于GaAs DH结构的激光二极管如图5.32（a）所示。载流子被限制在n-GaAlAs和p-GaAlAs之间，这是由于两者之间的带隙宽度不同所造成的。载流子在GaAs层中会发生有效的复合，如图5.32(b)所示。所发出的光被限制在一个薄层中，这是由于各层的光学折射率不同所造成的，见图5.32(c)。 5.5.1 LD 1 LD原理 图5.33 能级结构和光的吸收、光的发射示意图 如图5.33（a）所示，当电子与空穴复合，会发生自发辐射。当光子被半导体结构吸收时，电子则被激发到导带，于是便产生了电子-空穴对，如图5.33（b）所示。当这一激发到导带的电子发生自发复合，就会产生受激辐射产生激光，如图5.33（c）所示。 5.5.1 LD 2 LD阈值电流 发生激光的光强是注入电流的函数，两者间的关系见图5.34。当电流很小的时候，自发辐射是主要的发光模式，这种