RAMROMFLASH存储器.docxVIP

存储器存储器特点分类特点用途RAM随机存储器：速写速度快；寿命无限；掉电丢失数据；SRAM静态RAM：速度非常快；价格昂贵CPU的一级缓冲，二级缓冲PSRAM伪静态RAM：内部结构同SDRAM；外部接口同SRAM；容量价格在SRAM/SDRAM之间。功耗最低。目前2Mb路由缓存DRAM动态RAM: 成本、集成度、功耗等明显优于SRAMSDRAM同步动态RAM:与CPU时钟同步DDRAM两倍速率同步动态RAM:ROM只读存储器：掉电不丢失；写入速度慢；写入次数有限MASKROM掩膜型ROM：无法修改，成本低PROM可编程ROM：只一次可编程EPROM可擦可编程ROM：紫外线可擦可编程EEPROM电可擦可编程ROM：电可擦可编程，按字节操作，I2C接口一般作为数据存储，空间小！FLASHROM闪存ROM：见下方。按扇区操作，成本较EEPROM低，操作较EEPROM麻烦，一擦一页，所以小单位小容量存储不能用Flash而是用EEPROM！即可数据存储，也可程序存储FLASHFLASH ROM：集成RAM、ROM优点NOR FLASH（串行SPI或并行接口）读取同SDRAM，代码可以直接运行，无需下载到RAM可用来存放代码用，和BOOT。NAND FLASH与NORflash比容量大，成本低；但可靠性差；不能随机读取，需按块读取；不能直接运行NAND Flash上的代码；主要用于大数据存储，如U盘等，容量比NORFLASH大。FRAM集成RAM、ROM优点：掉电不丢失；功耗低写入速度快，写入次数多。串行铁电（I2C或SPI）引脚与EEPROM兼容，可直接替换在产品上可以直接替换普通的EEPROM或RAM并行铁电注：RAM ROM分类很多，这里仅选一些常见的说明；目前大部分手机使用NORFLASH实现代码存储，同时采用SRAM或者PSRAM作为缓存或工作内存，而NANDFLASH厂商提倡把NANDFLASH与SDRAM相结合。学习可只看上表，若深入了解可参考以下内容：——————————————————————————————————————————————————————————————————————1、RAMRAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。DRAM是利用MOS电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。 DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。而通常人们所说的SDRAM 是DRAM 的一种，它是同步动态存储器，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在嵌入式系统中经常使用。PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SDRAM不同，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。2、ROM?ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。MCU 按其存储器类型可分为MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASHROM等类型。MASKROM的MCU价格便宜，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不变的应用场合；FALSHROM的MCU程序可以反复擦写，灵活性很强，但价格较高，适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途；OTPROM的MCU价格介于前两者之间，同时又拥有一次性可编程能力，适合既要求一定灵活性，又要求低成本的应用场合，尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。3、Flash?Flash也是一种非易失性存储器（掉电不会丢失），它擦写方便，访问速度快，已大大取代了传统的EPROM的地位。由于它具有和ROM一样掉电不会丢失的特性，因此很多人称其为Flash ROM。FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长