pn結正向压降温度特性研究.docVIP

实验 结正向压降温度特性研究 【实验目的】 1、了解结正向压降随温度变化的基本关系式. 2、在恒定正向电流下,测绘结正向压降随温度变化曲线,并由此确定其灵敏度. 3、学习用结测温的方法. 【实验仪器】 1、DH-PN-1型结正向压降温度特性实验仪 【实验原理】 1、结 在一块完整的硅或锗上用不同的工艺掺入杂质,使得其一半成为P型半导体,而另一半成为N型半导体,那么,在这两种半导体的交界处就会形成结. 在P型与N型半导体结合后,由于P型半导体具有较高浓度的空穴,而N型半导体具有较高浓度的自由电子,在他们交界处的两边就出现了电子与空穴的浓度差别.从而,电子与空穴都要朝着较低浓度的方向扩散.这种扩散作用,使得在P、N交界处之间形成了具有一定大小的扩散电流. 另一方面,由于P型半导体中空穴的流失,使得P型半导体中留下了一定量带负电的离子;而N型半导体中由于电子的流失,使得其中留下了一定量的正离子.由于正负电荷之间的相互作用,使得在交界薄膜中形成了从N型半导体指向P型半导体的空间电场.而空间电场的形成使得一部分的空穴与电子沿与扩散相反的方向运动,形成漂移电流. 空穴与自由电子的扩散使得空间电场增强,而空间电场的增强却又抑制空穴与电子的扩散,从而,在一段时间之后,扩散电流将与漂移电流达到动态平衡.而在P型与N型半导体的两侧则会留下不能自由移动的离子薄层,而这个离子薄层在P、N半导