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TTL與CMOS的区别
一、CMOS与TTL电路的区别 1.CMOS是场效应管构成(单极性电路),TTL为双极晶体管构成(双极性电路)? 2.COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作? 3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差? 4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)? 5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当 6.CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大 7.通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响?TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大,工作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”,做为器件性能的一个重要指标,其值越小,表明器件的性能越?好(一般约为几十皮(10-12)焦耳)。与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。 8.TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 二、CMOS使用注意事项 ?1)CMOS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。 ???2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。 ???3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。 ???4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 ???5)CMOS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。 三、什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别? ???TTL集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式输出,高电平400UA,低电平8MA 四、什么是CMOS电路的锁定效应 CMOS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大 。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。 防御措施: 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。 2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 3)在VDD和外电源之间加流电阻,即使有大的电流也不让它进去。 4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS电路的电源。?TTL和CMOS有什么区别1,TTL电平: 输出高电平2.4V,输出低电平0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平 是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平=2.0V,输入低电平=0.8V,噪声容限是 0.4V。 2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3,电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v==cmos 3.3v),所以互相连接时需 要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈 4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能 将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱 动门电路。 5,TTL和C电路比较: 1)TTL电路是电流控制器件,而电路是电压控制器件。 2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。 COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常 现象。 3)COMS电路的锁定效应: COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大 。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易 烧毁芯片。 防御措施: 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。 2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有
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