计算机结构与逻辑设计(10存储器).pptVIP

计算机结构与逻辑设计 主存储器 基本概念： 字为单位存放， 包含N位二进制码元， N为字长。 存储矩阵， 地址， 读/写功能。 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 5.1.2 线性译码器 RAM 随机存取存储器 图5.3 5.1.3 静态存储单元 RS触发器、D触发器。有使能端 图5.5 5.1.4 双向译码方式 行地址，列地址 双向译码方式 双向译码方式静态单元 双向译码方式完整结构图 5.1.5 存储器扩展 5.1.5 存储器扩展 2. 位扩展 5.1.5 存储器扩展 3. 字位均扩展方式 图5.13 静态RAM的读写过程 注意时间顺序 先后顺序：数据和读写信号先准备好，然后CS有效。 概念：读操作最小周期TR，TA存取时间，TCO片选时间。 写操作最小周期TW 动态RAM的基本单元 电容 C 储备电能 需要定时刷新电路 或者读写过程进行辅助内容刷新。 CC4116电路：图5.17 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 只读存储器 ROM 内容断电不丢失的。但不能写入 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” 掩膜ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） * * 第五章 存储器 A1 A0 An X0 X1 X2n-1 行 地 址 译 码 器 读 写 放大器 读/写 控制 I/O 存 储 矩 阵 存储器地址寄存器 MAR 存储器缓冲寄存器 MBR 随机存储器（RAM） RAM分类——1）静态RAM：存储单元由静态MOS电路或双 极型电路组成。 2）动态RAM： 利用MOS电容存储信息。 1．RAM结构和工作原理 A1 A0 A7 X0 X1 X255 Y0 Y1 Y15 A9 A8 A11 行 地 址 译 码 器 读 写 控 制 电 路 列地址译码器 I/O 存 储 矩 阵 电路构成——1）存储矩阵：有n×m个存储单元，每个存储单 元可存一位二进制信息（1或0）。 存储单元的数量又称为存储容量。 2）地址译码器：分行地址、列地址译码器。在给 定两组地址码后，选中一行和一 列交叉点处的存储单元。 3）读/写控制电路：当= 1时为读出数据操作； 当= 0时为写入数据操作。 4）片选控制电路：低电平有效，开始工作。 5）输入/输出电路： A1 A0 A7 X0 X1 X255 Y0 Y1 Y15 A9 A8 A11 行 地 址 译 码 器 读 写 控 制 电 路 列地址译码器 I/O 存 储 矩 阵 字扩展 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 1024 x 8 RAM 例：用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAM 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0