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课 次 1819 授课内容 §5-1半导体三极管 目的要求 了解半导体三极管结构、输入输出特性曲线、主要参数 重 点 了解半导体三极管结构、输入输出特性曲线、主要参数 难 点 输入输出特性曲线、电流放大作用 教学内容 与 时间分配 1、三极管结构 15 2、三极管电流放大原理 30 3、三极管输入、输出特性曲线 25 4、三极管主要参数 10 教学方法 与 手 段 教师讲授与学生练习相结合；板书与多媒体课件相结合。 利用PowerPoint、flash对课堂内容做鲜明显示。 练习题 与 作业题 1、练习题：教材（9-4-3 P247页） 2、作业题：教材（9-4-1、9-4-2 P247页） §5-1 半导体三极管 一.晶体三极管的结构  结构组成：由两个PN结、3个杂质半导体区域和三个电极组成，杂质半导体有P、N型两种。 三个区：基区---很薄。一般仅有1微米至几十微米厚. 发射区---发射区浓度很高。 集电区---集电结截面积大于发射结截面积。 两个PN结：发射结---为发射区与基区之间的PN结。 集电结---为集电区与基区之间的PN结。 三个电极：发射极e、 基极b和集电极c; 分别从这三个区引出的电极。 三个区组成形式：有NPN型和PNP型两种。结构和符号如图5.1.1所示。 图 5.1.1 晶体二极管的结构图及表示符号 三极管种类： 按基片材料分---硅管，目前国内生产硅管多为NPN型（3D系列）； 锗管，目前国内生产锗管多为PNP型（3A系列）。 按频率特性分---高频管和低频管。 按功率大小分---大功率管、中功率管和小功率管等。 图5.1.2 NPN管的偏置电路 图5.1.3三极管内部载流子运动示意图 按组成形式分---有NPN型和PNP型两种。实际应用中采用NPN型三极管较多。 PNP型和NPN型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同， 这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。 注意：使用中电源极性，要确保三极管发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。 下面以NPN型三极管为例加以讨论，所得结论对于PNP三极管同样适用。 二、电流放大原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 3）电子被集电区收集的过程 由图5.1.3不难得出： 上式说明,在三极管中发射极电流IE等于集电极电流IC和基极电流IB之和。对于PNP管,三个电极产生的电流方向正好和NPN管相反。其内部载流子的运动情况与此类似。 ICBO称为集电结反向饱和电流。 ICEO称为穿透电流。 三极管的电流放大作用： 当ICBO可以忽略时，上式可简化为把集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比定义为三极管的共发射极交流电流放大系数β，其表达式为： 三、晶体三极管的特性曲线 三极管的特性曲线是指各电极间电压和电流之间的关系曲线。 图5.1.4 三极管特性曲线的测试电路 （一）输入特性曲线 三极管的输入特性曲线如图5.1.5（a）所示。 1. 当uCE＝０时  从输入端看进去, 相当于两个ＰＮ结并联且正向偏置, 此时的特性曲线类似于二极管的正向伏安特性曲线。  2. 当uCE≥1Ｖ时 图中可见, uCE≥１Ｖ的曲线比uCE＝０V时的曲线稍向右移 图5.1.5三极管的特性曲线 (a)输入特性曲线; (b)输出特性曲线 (二) 输出特性曲线 输出特性曲线如图5.1.5（b）所示, 该曲线是指当iB一定时, 输出回路中的iC与uCE之间的关系曲线, 用函数式可表示为： 1）放大区 2）饱和区 3）截止区 四、晶体三极管的主要参数 （一）电流放大系数β 1、三极管为共发射极接法 静态（直流）电流放大系数： 三极管为共发射极接法，在集电极-发射极电压UCE一定的条件下，由基极直流电流IB所引起的集电极直流电流与基极电流之比，称为共发射极静态（直流）电流放大系数， 记作: 动态（交流）电流放大系数β：当集电极电压UCE为定值时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比，即： 2、三极管为共基极接法 ， 一般情况下，且为常数，故可混用