多晶硅薄膜太陽能电池的研制及发展趋势2.docVIP

多晶硅薄膜太阳能电池的研制及发展趋势 摘要 本论文论述了多晶硅薄膜太阳能电池的结构、特点和多晶硅薄膜的制备方法, 并展望了多晶硅薄膜电池的发展趋势和前景。关键词: 多晶硅; 薄膜; 太阳能电池; Abstract This paper discusses the structure and characteristics of polycrystalline silicon thin film solar cells and polycrystalline silicon thin film preparation method, and prospects the development trends and prospects of polycrystalline silicon thin-film batteries. 前言 因为常规能源提供的有限性和环保压力的提升, 世界上许多国家掀起了开发利用新能源的热潮。在新能源中, 相当引人注目的是源源不断的永久性能源——太阳能。太阳能是一种清洁、无污染、可随时取用的自然能源, 将太阳能转换为电能是大量利用太阳能的非常重要的技术支持, 受到了各国的重视。近年来, 光伏市场的发展非常迅速, 晶体硅太阳电池是光伏市场的主要产品,1997年占国际市场的份额比例80 %以上。但至今太阳电池用硅材料大多数源于半导体硅材料的外品与单晶硅的头尾料, 无法满足光伏工业发展的需求。同时硅材料正是构成晶体硅太阳电池组件成本中很难降低的部分, 因此为了适应太阳电池高效率、低成本、大规模生产发展的需要, 最有效的办法是不采用由硅原料、硅锭、硅片到太阳电池的工艺路线, 而采用直接由原材料到太阳电池的工艺路线, 即发展薄膜太阳电池的技术。20世纪70年代开始, 发展了许多制作薄膜太阳电池的新材料, CuInSe、CdTe薄膜和有机膜等; 近20年来大量的研究人员在该领域中的工作取得了可喜的成绩。薄膜太阳电池以其低成本、高转换效率、适合规模生产等优点, 引起生产厂家的兴趣, 薄膜太阳电池的产量迅速增长。也正是为了进一步降低晶体硅太阳电池的成本,近几年来, 各国光伏学者发展了晶体硅薄膜电池。多晶硅薄膜电池既具有晶体硅电池的高效、稳定、无毒和资源丰富的优势, 又具有薄膜电池工艺简单、材料节省、成本大幅度降低的优点,因此多晶硅薄膜电池的研究开发已成为近几年的热点。1.电池工作原理 多晶硅薄膜太阳电池是把多晶硅薄膜生长在成本较低的衬底材料上, 用比较薄的晶体硅层作为太阳电池的激活层, 不但延续了晶体硅太阳电池的高性能以及稳定性, 并且材料的用量也大幅度降低, 显著地降低了成本。多晶硅薄膜太阳电池的工作原理基本和其它太阳电池类似, 是以太阳光与半导体材料的相互作用形成的光伏效应为基础。光和半导体之间的作用能产生光生载流子。当把产生的电子-空穴对靠半导体内形成的势垒分开至两极时, 两极间会产生电势, 称为光生伏打效应, 简称光伏效应。2.电池结构特点 在半导体太阳能电池中, 吸收太阳光能的半导体膜的厚度能够特别薄。对硅来说,在太阳光谱峰值附近5.0 ×10 -7m～6.0 ×10 -7m处, 吸收值为104cm的数量级。至于原理来说, 几μm厚就可以吸收很多的能量, 但实际上，多晶硅薄膜的厚度一般在50μm左右。正因为这样, 人们研发了薄膜型太阳能电池, 太阳能电池的薄膜化的目的是降低地面用太阳能电池的研制成本和节省费用很高的半导体电池结构材料。为了提高电池薄膜活性层的机械强度, 需要衬底的辅助。衬底材料当然也要选择价格低廉的。因此, 在很多实例里, 衬底一般都不选择半导体材料。在衬底上形成的半导体薄膜多是多晶体或者非晶体, 而不一定必须是单晶体。衬底上的半导体薄膜, 可以通过各种途径制成: 物理的与化学的生长法以及将衬底在熔融半导体材料中浸渍等的方法。薄膜电池的转换结构与单晶电池的结构相似, 有p-n 结型、肖特基型、MIS 型及异质结型等。其不同之处在: 衬底对半导体薄膜形成工艺的影响, 晶界和膜的厚度的作用,以及薄膜特有的材料、电学方面的性质等都是不可以被护士不见的。正是因为这类因素的制约, 硅薄膜电池的特性的水平仍然不如单晶硅太阳电池,还是处于试验阶段, 没有真正达到实用化。3.电池构成3.1 绝缘基板上的电池结构 以铝为基板的结构。这是一种n+-p-p+-Al基板形式, 由于基板是绝缘体, 所以要取出p+一侧的电极, 这个电极Si层的特性是: p+层: 20μm~40μm 厚, 电阻率10-3欧姆厘米; p层: 5μm~20μm厚, 杂质浓度是1016/cm3; n层:0.14μm~4μm厚, 杂质浓度为1019/ cm3 , p层n+层的生长都采用SiHCl3 外