6.1半导体二管和三极管.pptVIP

* 第六章 半导体二极管和三极管 6.1 半导体基础知识 导 体：电阻率小于10-4Ωcm 绝缘体：电阻率大于1010Ωcm 半导体：电阻率介于10-4~1010Ωcm之间 6.1.1 本征半导体 二个电子的共价键 二个电子的共价键 正离子 +4 电子——空穴对的产生 共价键中原来位置留下一个空位 受热挣脱共价键束缚形成自由电子 形成电子——空穴对 在外电场作用下 空穴电流 两部分电流： 本征激发的自由电子形成电子电流； 空穴移动产生的空穴电流 自由电子与空穴都称为载流子 ，在本征半导体中，自由电子和空穴的数目相同 电子运动 空穴运动 束缚电子：x2→x1， x3→ x2； 相当于空穴：x1→x2→x3 外电场E 6.1.2 杂质半导体 N型半导体（电子型半导体）和P型半导体（空穴型半导体） 1．N型半导体 掺入五价杂质元素 杂质原子提供多余的电子, 电子是多数载流子 空穴是少数载流子 2．P型半导体 掺入三价杂质元素 杂质原子提供空穴, 空穴是多数载流子 电子是少数载流子 6.1.3 PN结 1．PN结的形成 空穴扩散 电子扩散 载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动 当扩散和漂移达到动态平衡时，空间电荷区的宽度就稳定下来。PN结就处于相对稳定的状态 电位壁垒UD的大小，硅材料为0.6~0.8V，锗材料为0.2~0.3V 多数载流