碳源流量对pecvd备碳纳米管形貌的影响修改稿2.doc

碳源流量对PECVD制备碳纳米管形貌的影响 王 苗 （渭南师范学院 物理与电气工程学院；陕西 渭南 714000） 摘 要：碳纳米管制备是对碳纳米管结构性能研究以及应用研究的基础。采用等离子体增强化学沉积法（pecvd）改变碳源气体流量，制备碳纳米管薄膜，使用扫描电镜，透射电镜，拉曼光谱仪分别对其表征，经对实验数据理论分析后得出：若控制其它实验参数不变，只改变碳源气体流量，获得整齐排列，定向性好，管径均匀，杂质少的碳纳米管的最佳流量为30sccm。 关 键 词：碳纳米管（CNTs）；等离子增强化学沉淀（PECVD）；扫描电镜（SEM）；透射电镜（TEM）；拉曼光谱（Raman） 目录 绪论 1 一、碳纳米管简介 2 1.1碳纳米管的发现 2 1.2 碳纳米管的结构和分类 2 1.2.1 碳纳米管的结构 2 1.2.2 碳纳米管的分类 2 二、碳纳米管的制备方法 3 2.1石墨电弧法 3 2.2激光蒸发法 3 2.3化学气相沉积法 4 2.4等离子体增强化学沉积法材料 4 三、碳纳米管的表征 5 3.1扫描电子显微镜（SEM） 5 3.2透射电子显微镜（TEM） 5 3.3Raman光谱表征 6 四、碳纳米管制备 6 4.1实验设备 6 4.2实验原料 6 4.3 PECVD制备碳纳米管的操作步骤与过程 6 五、不同碳源流量制备的碳纳米管表征及其数据讨论 7 5.1不同碳源流量下碳纳米管SEM表征 7 5.2不同碳源流量碳纳米管TEM表征 8 5.3不同碳源流量下碳纳米管Raman表征 8 六、结论 10 七、参考文献 10 绪论 自1991年Iijima用石墨电弧法发现碳纳米管以来碳纳米管成为国际材料领域的前沿和热点。近年来碳纳米管制备方法，纯化方法，以及在各领域应用的研究也有了最新进展。正是由于碳纳米管的特殊结构，研究者们展望了碳纳米管的应用和研究前景，其中，碳纳米管的制备是对其开展研究和应用的前提，获得了足量管径均匀，结晶程度高，纯度高，结构缺陷少是碳纳米管性能研究和应用研究的基础。通常制备碳纳米管的方法:石墨法、电弧法、化学沉积法，激光蒸发法。在此基础上，人们研究出更为简易的制备方法，等离子体增强化学沉积法，简称PECVD。 制备碳纳米管时 ，温度、压强、催化剂、碳源流量对碳纳米管薄膜的生长都会产生影响。用石墨电弧法，激光蒸发法，CVD制备技术时，其反应条件都不容易控制。但是使用PECVD制备技术时，其实验条件参数易于控制，无点击污染，且重复性好。因此，在本次试验中，采用PECVD制备技术，在不改变其他实验参数的情况下，只改变碳源气体流量生长杂质缺陷少，整齐排列的碳纳米管，研究其碳源最佳流量或者最佳流量范围。 一、碳纳米管简介 1.1碳纳米管的发现 1991年1月，日本电子公司（NEC）的饭岛博士（S.Iijima）首先发现了碳纳米管[1]。饭岛博士在高分辨电镜下观察石墨电弧上阴极的硬质沉积物中，偶然发现由纳米级同轴碳原子构成的中空微管。即碳纳米管（Carbon Nanotubes, CNTs）。 1993年，Iijima和美国IBM公司和Bethune[2]等采用电弧法，却在石墨电极中添加催化剂，首次成功合成由单层碳原子绕合而成的碳纳米管，即单壁碳纳米管。 1996年，Smalley合成了成行排列的单壁碳纳米管束[3] 。 1997年，AC.Dillon等报道了单壁碳纳米管的中空管可以储存和稳定氢分子。 1.2 碳纳米管的结构和分类 1.2.1 碳纳米管的结构 碳纳米管是碳的一种同素异形体。是由六角形网格状的碳原子的石墨片卷绕而成的层状中空微管结构。管身由六边形碳环微结构单元组成的圆管结构，并在其两端罩上碳原子封闭面，通常是有五边形碳环组成的多边形结构。由于碳纳米管的径向尺寸为纳米级，轴向尺寸为微米量级，因此具有很大的高度直径比。管帽两端封口，曲率半径小，是一种独特的中空结构的一维量子材料。 1.2.2 碳纳米管的分类 碳纳米管分类可以从层数、形态和手性方面进行分类。 按层数分类：根据构成碳纳米管原子层数不同，大致可分为单壁碳纳米管和多壁碳纳米管。单壁碳纳米管是由单层碳原子绕合而成的，直径一般在1~3nm，具有很好的对称性和单一性。多壁碳碳纳米管是由多层碳原子绕合而成的同轴无缝纳米管。 按形态分类：管子端帽结构较为复杂。有多角形、锥形，半环形和开口形[4]。CNTs管身并不完全是平直或者均匀的。是由于在碳纳米管六角形延伸的过程中引入五边形和七边形所致。五边形的出现会导致碳纳米管凸出，若正好出现在顶端，则会形成碳纳米管封口。相反，七边形的出现会使碳纳米管凹进。 按手性分类：按手性分主要是对单壁碳纳米管的细化分类。根据其石墨片层卷曲的螺旋性可分为非手性（对称）和手性（不对称）。非手性型：单壁碳纳米管镜像