半导体物理期末总结.docxVIP

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  • 2016-11-28 发布于重庆
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半导体物理期末总结

载流子:晶体中荷载电流(或传导电流)的粒子,如电子和空穴。空穴:在常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,同时共价键上留下的空位。(价带中不被电子占据的空状态,价带顶附近空穴有效质量0)杂质的补偿作用:受主能级低于施主能级,所以施主杂质的电子首先跃迁到NA受主能级后,施主能级上还有ND-NA个电子,在杂质全部电离的条件下,它们跃迁到导带中成为导电电子,这时,n=ND-NA≈ND ,半导体是n型的;同理p型。等电子陷阱:与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子,它们替代了格点上的同族原子后,基本上仍是电中性的。由于原子序数不同,这些原子的共价半径和电负性有差别,因而它们能俘获某种载流子而成为带电中心。本征半导体:晶体具有完整的(完美的)晶格结构,无任何杂质和缺陷。有效质量(物理意义?):电子受到外力+原子核势场和其它电子势场力,引入有效质量可以把加速度和外力直接联系。根据 势场的作用由有效质量反映,mn*的正负反应了晶体内部势场的作用。分布函数:能量为E的一量子态被一个电子占据概率为杂质电离:当电子从施主能级跃迁到导带时产生导带电子;当电子从价带激发到受主 能级时产生价带空穴等。费米能级的意义:当它和温度T、半导体材料的导电类型n、p,杂质的含量以及能量零点选取有关。 EF是一个很重要的物理参数,只要知道EF 数值,在特定T下,电子在各量子态上

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