2015第12课-第10章 半导体超晶格和多量子阱.pptxVIP

问题？什么是超晶格超晶格与多量子阱的区别与联系。超晶格的种类应变层超晶格负阻效应搀杂超晶格第10章 半导体超晶格和多量子阱10.1 引言（10.1.1）超晶格概念（10.1.2）超晶格结构的定义（10.1.3）超晶格的种类10.2 超晶格的能带10.3 应变层超晶格10.4 负阻效应10.6 搀杂超晶格10.7 超晶格的评价10.1 引言（10.1.1）超晶格概念 1969年，江崎玲放奈(L Esaki)和朱兆样在固体能带理论基础上，设想将两种 不同组分或不同掺杂的半导体超薄层(每层厚等于或小 于10nm)交替叠合生长在衬底上，使沿生长方向形成 附加的人造晶格周期性，由于这个周期比天然材料的晶格常数大许多倍，所以称为超晶格。与此同时，分子束外延技术也在美国贝尔实验室和IBM公司开发成功．新思想和新技术的巧妙结合，制成了第一类晶格匹配的组分型AlxGa1-xAs/GaAs超晶格，标志着半导体材料的发展开始进入人工设计的新时代．超晶格概念的提出，在物理学上有两大突破：1 把量子物理的的研究范围拓展到更大的尺寸。70年代发现的超晶格量子阱是在介质周期性薄层（10nm)内出现量子化的电子运动规律。为后来的光电子技术发展提供了新的物理基础。2 第一次设计晶体结构并制造周期性晶体。10.1.2 超晶格结构的定义由周期性交替生长的两种不同半导体材料A、B构成，整个结构保持晶格的连续性。由于两种材料的导带边和价带边的能量不同，在两种材料的交界处带边出现不连续。AlAsGaAsab生长方向z周期 d＝a＋b人工晶格a、b通常为晶格常数的2－20倍超晶格与多量子阱波函数不交迭，无相互作用，与单量子阱相同波函数交迭，量子阱相互作用分立的子带能级超晶格势垒区薄的多量子阱10.1.3超晶格的种类半导体超晶格主要分为组分超晶格和掺杂超晶格两大类。一 组分超晶格构成超晶格的两种材料有不同的禁带宽度，按它们的能带差异分为 I型超晶格Ⅱ型超晶格。Type I如GaAs/AlxGa1-xAs超晶格就属于I型超晶格，窄带组分(GaAs，带宽Egl)的导带底和价带顶均位于宽带组分(AlxGa1-xAs，Eg2)的禁带中。这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中。Type IIGaxIn1-xAs/GaAsxSb1-x属于Ⅱ型超晶格，结构中形成的电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中，因而电子和空穴在空间上是分离的。二 掺杂超晶格掺杂超晶格是在同一块半导体用交替改变掺杂类型的方法而构成的半导体超晶格。可以把掺杂超晶格看成是大量pn结的重复，其周期比空间电荷区的宽度小得多，因而全部pn结都是耗尽的，并且p型区和n型区内的总电荷数要达到平衡。和组分超晶格不同，它的能带弯曲是由势能引起的，改变掺杂的程度和各层的厚度，可以调节超晶格的能带结构和其它性质。10.2 超晶格的能带超晶格的能带结构载流子沿薄层生长方向z的连续能带会分裂成一系列子带。这些能带可以通过选择不同的半导体材料、不同的材料厚度a和b，而人为地改变。人造材料 能带工程在平行于界面的平面内不受影响其中载流子的运动受材料晶格周期势的影响在垂直于界面的平面内受沿z向的人工附加周期势的影响晶体能带的形成能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。 若N-1023,则能带中两能级的间距约10-23eV。孤立原子的势场是：v1N个原子有规则的沿x轴方向排列。x对于周期性的晶格结构晶体的势能曲线简化周期势场vo-b0aEA允许带B禁带CDEFGHH(E)+1-lE（k）}允带自由电子}允带允带}π/1k-π/10无限深势阱时对于超晶格周期势121212121212121-b0al=b+c| cos Kl | 1 ? ?energy bands“ - subbandstructure inside the ?ordinary“ bands 波函数交迭，相互作用后，势阱中分立的能级展宽成能带（微带）超晶格微带的形成被分割为由所决定的超晶格材料的许多微小的布里渊区4a布里渊区折叠a处间断正常晶体z方向由决定的布里渊区，设晶体的晶格常数为a,m=l/a, 布里渊区缩小为体材料的1/m, 原来的体材料的能带分成m个子能带。10.3 应变层超晶格应变的概念1 应变层超晶格概念 实验发现，只要失配度不是很大，超晶格每层的厚度不是很大，则两种材料会发生弹性形变。以在平行方向上达到一统一的平衡晶格常数a//,并仍保持晶体良好的结构性质。这种超晶格称为应变层超晶格。式中，ai，Gi，hi分别为原材料的晶格常数、刚性系数、薄层厚度；f为晶格失配度，由f值的正、负可知应变超晶格属于压缩应变和伸张应变超晶格。应变对能带产生的两个效应（1）体积变化引起价带和导带的整体移动。（2）重轻空穴带发生分裂。2 应变层超晶格的临界厚度(10