华南理工大学半导体物理器件实验(2012级)案例.docVIP

华南理工大学半导体物理器件实验讲义 (2012级） 目 录 目 录 1 实验一 半导体单晶霍尔系数和电导率测量 1 实验二 高频光电导衰退法测量硅（锗）单晶少子寿命 12 实验三 用椭圆偏振仪测量介质膜的厚度和折射率 18 实验四 几种半导体器件直流参数测试 30 实验五 MIS 结构的高频 C-V 特性测量（选做） 46 实验一 半导体单晶霍尔系数和电导率测量 一．实验目的 霍尔效应是半导体中的载流子在电场和磁场综合作用下产生的效应，研究霍尔效应对发展半导体理论有着重要的实际意义。利用霍尔效应来测量霍尔系数是研究半导体性质的重要实验方法，它在半导体测试技术中占有重要地位[1]。根据霍尔系数的符号可以判断单晶材料的导电类型；根据霍尔系数及其与温度的关系，可以计算载流子的浓度以及载流子浓度与温度的关系，由此可确定单晶材料的禁带宽度和杂质电离能；通过霍尔系数和电阻率的联合测量，能确定载流子的迁移率；用微分霍尔效应法可测量纵向载流子浓度分布；测量低温霍尔效应可以确定杂质补偿度。霍尔效应是半导体磁敏器件的物理基础。1980 年发现的量子霍尔效应对科技进步具有重大意义。 本实验的目的是通过测量半导体单晶材料的霍尔系数和电导率，求出该材料的导电类型、杂质浓度和霍尔迁移率；并通过测量高温本征区霍尔系数的温度系数。求出样品的禁带宽度。 二．实验原理 对一块长度为 l、宽度为