第2章_半导体与PN结-1汇总.ppt

第二章 半导体与PN结 2.1简介 一直以来，太阳能电池与其它的电子器件都被紧密地联系在一起。接下来的几节将讲述半导体材料的基本问题和物理原理，这些都是光伏器件的核心知识。这些物理原理可以用来解释 PN结的运作机制。PN结不仅是太阳能电池的核心基础，还是绝大多数其它电子器件如激光和二极管的重要基础。 2.2.1基本原理 --半导体的结构 半导体材料可以来自元素周期表中的Ⅴ族元素，或者是Ⅲ族元素与Ⅴ族元素相结合（叫做Ⅲ -Ⅴ型半导体 ），还可以是Ⅱ族元素与Ⅵ族元素相结合（叫做Ⅱ -Ⅵ型半导体 ）。 硅是使用最为广泛的半导体材料，它是集成电路芯片的基础，也是最为成熟的技术，而大多数的太阳能电池也是以硅作为基本材料的。 2.2.1基本原理 --半导体的结构 半导体的价键结构决定了半导体材料的性能。其中一个关键影响就是限制了电子能占据的能级和电子在晶格之间的移动。 共价键中的电子被共价键的力量束缚着，共价键中的电子不能被认为是自由的，也不能够参与电流的流动、能量的吸收以及其它与太阳能电池相关的物理过程。 只有在绝对零度的时候才会让全部电子都束缚在价键中。在高温下，电子能够获得足够的能量摆脱共价键，便能自由地在晶格之间运动并参与导电。在室温下，半导体拥有足够的自由电子使其导电，然而在到达或接近绝对零度的时候，它就像一个绝缘体。 2.2.1基本原理 --半导体的结构 对于太阳能电池来说，半导体最重要的参数是： 禁带宽度 能参与导电的自由载流子的数目 当光射入到半导体材料时，自由载流子的产生和复合 2.2.2基本原理--禁带 半导体的禁带宽度是指一个电子从价带运动到能参与导电的自由状态所需吸收的最低能量值。 半导体的价键结构显示了（y轴）电子的能量，此图也被叫做“能带图”。 半导体中比较低的能级被叫做“价带”（Ev），而处于其中的电子能被看成自由电子的能级叫“导带”（Ec）。处于导带和价带之间的是禁带（EG）。 2.2.2基本原理--禁带 电子从原本的共价键移动到导带必然会留下一个空位，电子移向导带的运动不仅导致了电子本身的移动，还产生了空穴在价带中的运动。 电子和空穴都能参与导电并都称为“载流子”。 移动的“空穴”这一概念有点类似于液体中的气泡。尽管实际上是液体在流动，但是把它想象成是液体中的气泡往相反的方向运动更容易理解些。 2.2.3基本原理 --本征载流子浓度 把电子从价带移向导带的热激发使得价带和导带都产生载流子。这些载流子的浓度叫做本征载流子浓度，用符号ni表示。没有掺杂的半导体叫做本征半导体。 本征载流子浓度取决于材料的禁带宽度和材料的温度。 宽禁带会使得载流子很难通过热激发来穿过它，因此宽禁带的本征载流子浓度一般比较低。但还可以通过提高温度让电子更容易被激发到导带，同时也提高了本征载流子的浓度。 2.2.4基本原理--掺杂 通过掺入其它原子可以改变硅晶格中电子与空穴的平衡。 比硅原子多一个价电子的原子可以用来制成n型半导体材料，这种原子把一个电子注入到导带中，增加了导带中电子的数目。 比硅原少一个电子的原子可以制成p型半导体材料。在p型半导体材料中，被束缚在共价键中的电子数目比本征半导体要高，因此显著地提高了空穴的数目。 在已掺杂的材料中，总是有一种载流子的数目比另一种载流子高，而这种浓度更高的载流子就叫“多子”，相反，浓度低的载流子就叫“少子”。 2.2.4基本原理--掺杂 2.2.4基本原理--掺杂 在一块典型的半导体中，多子的浓度可能达到1017cm-3，少子的浓度则为106cm-3。 少子与多子的比例比一个人与地球总的人口数目的比还要小。少子既可以通过热激发又可以通过光照产生。 2.2.5基本原理--平衡载流子浓度 在平衡状态下，多子和少子的浓度为常数，由质量作用定律可得其数学表达式。 n0p0=n2i 式中ni表示本征载流子浓度，n0和p0分别为电子和空穴的平衡载流子浓度。 多子和少子的浓度： 2.2.5基本原理--平衡载流子浓度 2.3.1载流子的产生--光的吸收 对于光伏器件来说，反射和透射通常被认为损失部分。如果光子被吸收，将在价带产生一个电子并运动到导带。决定一个光子是被吸收还是透射的关键因素是光子的能量。 入射到半导体材料的光子可以分为三种： EphEg 光子能量Eph小于禁带宽度Eg，光子与半导体的相