第八章刻蚀工艺预览.pptVIP

* 第八章 刻蚀工艺 刻蚀工艺 ■ ? 概述 ■ ? 湿法刻蚀 ■ ? 干法刻蚀 ■ ? 小结 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第11章 （电子讲稿中出现的图号是该书中的图号） 就是通过物理和/或化学方法将下层材料中没有被上 层掩蔽膜材料掩蔽的部分去掉， 从而在下层材料上 获得与掩蔽膜图形完全对应的图形。 一、 概述 1、 刻蚀： 2、刻蚀工艺的分类 (1) 湿法刻蚀与干法刻蚀 (2) 各向同性刻蚀与各向异性刻蚀 a. 湿法刻蚀：采用液态化学试剂进行薄膜刻蚀 b. 干法刻蚀：采用气态的化学气体进行薄膜刻蚀 a. 各向同性刻蚀：薄膜在各个方向上都受到同样的刻蚀 b. 各向异性刻蚀：薄膜在各个方向上所受刻蚀不等 实际刻蚀剖面 a. 横向刻蚀速度 RL b. 纵向刻蚀速度 RV (2) 选择比：不同材料的刻蚀速率比. (3) 钻刻：掩膜材料下的侧向刻蚀。 各向异性度： A=0, 各向同性刻蚀 A=1, 理想的各向异性刻蚀 1A0 ，实际的各向异性刻蚀 3、刻蚀工艺的品质因数 (1) 刻蚀速率：单位时间刻蚀的厚度。 ——决定了刻蚀工艺的产率 ——决定了刻蚀后剖面形貌和“钻蚀”程度 ? 选择性和方向性通常是最为关心的问题。 ? 化学过程；物理过程。 膜层厚度的不均匀+刻蚀速率的不均匀→图形转移尺寸的不均匀 设：平均膜厚h，厚度变化因子δ， 0≤ δ ≤1； 最厚处为h（1+δ），最薄处h（1-δ）； 平均刻蚀速率v，速度变化因子ζ， 0≤ ζ ≤1； 最大为v(1+ζ)，最小为v(1-ζ)； 刻蚀最厚处所需时间； tM=h(1+δ)/v(1-ζ) 刻蚀最薄处所需时间； tm= h(1-δ)/v(1+ζ) 存在时间差：tM- tm = 2h(ζ+δ)/v(1+ζ) 4、均匀性： 取tm，则厚膜部位未刻蚀尽；tM，部分过刻蚀. (1) 获得满意的剖面（倾斜或垂直） (2) 钻刻最小 (3) 选择比大 (4) 刻蚀均匀性好，重复性高 (5) 对表面和电路的损伤最小 (6) 清洁、经济、安全。 5、VLSI对图形转移的要求 二、湿法刻蚀 1）反应物扩散到被刻蚀的材料表面； 2）反应物与被刻蚀薄膜反应； 3）反应后的产物从刻蚀表面扩散到溶液中， 并随溶液被排出。 1、湿法刻蚀: 利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除 未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。 2、三个步骤： a. 刻蚀溶液的种类 b. 溶液的浓度 c. 反应温度 d. 搅拌 3、Arrhenius方程： (1) 刻蚀速率： R = R0exp(-Ea/kT) 其中R0是与刻蚀液浓度有关的常数；Ea是化学反应的 激活能，它与被刻蚀物种类、杂质含量有关。 (2) 速率控制方法： 各相同性的，钻蚀严重，对图形的控制性较差。 安全性、洁净性差。 说明 I. 刻蚀液的选用：选择比大。 II. 掩蔽膜的选用： 粘附性；稳定性；抗蚀性好； III. 主要优点： 设备简单，成本底，产量高，并且具有很好的刻 蚀选择比，重复性好。 IV. 主要缺点 (1) SiO2的刻蚀 a. 氢氟酸可以在室温下与SiO2快速的反应，而不会刻蚀硅： 配方为：HF:NH4F: H2O=3ml:6g:10ml 4、几种常见物质的刻蚀： SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2O b. 掩蔽膜：光刻胶、氮化硅、多晶硅 c. 工艺上通常使用氢氟酸缓冲液以提高可控性 HF ? H+ + F- I. 硝酸将表面的硅氧化成SiO2 ; II.氢氟酸将生成的SiO2除去 (2) 硅的刻蚀 a. 硝酸、氢氟酸与醋酸的混合液进行刻蚀： Si + HNO3 + 6HF = H2SiF6 + HNO2 + H2 + H2O b. 反应原理： a. 可采用SiO2作掩蔽膜, 在180℃磷酸溶液中进行刻蚀。 b. Si3N4, SiO2, Si在180℃磷酸中的刻蚀速率 (3) 氮化硅的刻蚀 (4) 铝的刻蚀 a. 刻蚀液：磷酸、硝酸、醋酸及水的混合溶液。 b. 原理： d. 温度：35～60oC I. 由硝酸与铝反应生成氧化铝; II. 磷酸和水分解氧化铝。 c. 掩蔽膜：光刻胶 三、干法刻蚀 c. 分类： 1、特点: 利用刻蚀气体辉光放电形成的等离子体进行刻蚀。 a. 优点: 各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性 好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液， 处理过程未引入污染，洁净度高。 b. 缺点： 成本高，设备复杂。 物理性、化学性、物理化学性刻蚀。 2、物理性刻蚀 (2) 设备： a. 纯粹的机械过程，对所有材料都可实现强的各向异性刻蚀。 b.选择比差； c.刻出物