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Capacitance of MOSFET Cgs Cds Vds Ciss = Cgd + Cgs Coss = Cgd + Cds Crss = Cgd Ciss : Input Capacitance ; 输入电容. Coss : Output Capacitance ;输出电容 . Crss : Reverse Transfer Capacitance ;反向转换时电容 . Vgs N. VSD : Drain-Source Diode Forward Voltage; MOSFET Body Diode 的顺向电压降 . t rr : Diode Reverse Recovery Time; MOSFET Body Diode 的逆向恢复时间 . Q rr : Diode Reverse Recovery Charge; MOSFET Body Diode 的逆向恢复充电电荷量. 储存温度(Storage Temperature ) ,即元件储存时能承受之最高温度. Tstg: Is : Maximum Continuous Drain-Source Forward Current ; MOSFET Body Diode 的连续最大的承受电流 . IsM : Maximum Continuous Drain-Source Forward Rush Current ;MOSFET Body Diode 的承受的最大冲击电流 . GATE VOLTAGE VDS VOLTAGE t r t f t d(on) t d(off) Qg : Total Gate Charge ; 总充电电荷量. Qgs : Gate-Source Charge ; 栅极与源极间之充电电荷量. Qgd : Gate-Drain Charge ;栅极与漏极间之充电电荷量. t d(on) : Turn-On Delay Time ;导通延时时间 . t d(off) : Turn-Off Delay Time ;截止延迟时间 . t r : Rise Time ; 上升时间 . t f : Fall Time ; 下降时间 . Derating 测试指导书 厂内derating参数整理 SOA 测试数据波形 谢 谢 预夹断 楔形沟道 0 + 电位梯度 VDS的控制作用 当VGS＝Constant 4.1.3 主要参数 (1) 直流参数 ① VT——开启电压 (增强型) |VDS=const ② IDSS——饱和漏极电流 VGS=0时所对应的最大ID ③ RGS——输入电阻 约109～1015Ω (2) 交流参数 ① gm ——低频跨导 反映VGS对ID的控制作用 gm=?ID/?VGS? VDS=const (单位mS) (毫西门子) gm可以在转 移特性曲线上求取，即曲线的斜率 (3) 安全参数 ① VBRXX——反向击穿电压 XX：GS、DS V（BR）DS是指发生雪崩击穿、Id开始急剧上升时的VDS值。由于加到PN结上的反向偏压 与 VGS有关，因此VGS越负， V（BR）DS越小。 　　 V（BR）GS是输入PN结反向电流开始急剧增加时的VGS值。 ② PDM——最大漏极功耗 由PDM= VDS ID决定 做开关管使用时目前用Ron ID2 、开启瞬间功率、关闭瞬间功率来决定 PDW= Prds(on) Loss+ Pswon+ Pswoff 图示为各类场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 伏安特性曲线比较表 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 4.2 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应管(单极型三极管) 结构 NPN型 PNP型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入