数字电子技术基础课件 第3w章-1.pptVIP

第三章 门电路（第1讲） 一、什么是门电路？（重点） 二、二极管的开关特性（重点） 三、二极管与门 四、二极管或门 五、三极管的开关特性（重点） 六、三极管非门 七、MOS管的开关特性（重点） 八、MOS管非门 一、什么是门电路？（重点） 用以实现基本逻辑运算（与、或、非）和复合逻辑运算（与非、或非、与或非、同或、异或）的单元电路称为门电路。门电路实质就是开关电路(门只有开和关两种状态）。 本章介绍的就是具体的开关电路的实现办法，即介绍逻辑符号的内部，以后的使用过程中就不管内部电路了，只拿出电路符号使用，注重他的外部特性。 基本开关电路与逻辑电平 Vcc R S Y Vcc R S A 我们的任务是寻找一种开关器件，用外高低电平控制该器件的开与关。 采用正逻辑，且有一定高低电平宽容度（如3.0V以上都是“1”，0.7伏以下都是“0”。） 思考与讨论：电平与电压的区别是什么？ Vcc Vcc Vcc (1) 静态特性： 断开时，开关两端的电压不管多大，等效电阻ROFF = 无穷，电流IOFF = 0。 闭合时，流过其中的电流不管多大，等效电阻RON = 0，电压UON= 0。 (2) 动态特性：开通时间 ton = 0 关断时间 toff = 0 理想开关的开关特性： 　　客观世界中，没有理想开关。 　　继电器、接触器等开关的静态特性十分接近理想开关，但动态特性很差，无法满足数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。 　　半导体二极管、三极管和MOS管做为开关使用时，其静态特性不如机械开关，但动态特性很好。 数字电路中正是采用了二极管、三极管和MOS管工作在开关状态，导通状态相当于开关闭合，截止状态相当于开关断开。 静态特性 正向导通时 VON≈0.7V（硅） 0.3V（锗） rD≈几Ω ～几十Ω 相当于开关闭合 二极管的伏安特性曲线 二、二极管的开关特性（重点） rD VON 正向等效电路一，Vcc和RL都很小时。 正向等效电路二，rD与RL比可以忽略。 正向等效电路三，rD和VON都忽略。 VON 大电阻 反向截止时 反向饱和电流极小 反向电阻很大（约几百kΩ） 相当于开关断开 二极管的伏安特性曲线 反向理想开关 动态特性： 理解与记忆：若输入信号频率过高，二极管会双向导通，失去单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。 　　二极管从截止变为导通和从导通变为截止都需要一定的时间。通常后者所需的时间长得多。 反向恢复时间tre ：是指反向电流从它的峰值衰减到峰值的十分之一所经过的时间。 一般为纳秒数量级（通常tre ≤5ns ）。 P N 三、二极管与门 S Vcc R A Vcc R S A 单个二极管构成的开关电路 Vcc=5V 当A=5V时，Y为高电平，当A=0V时，Y=0.7V。 Y Vcc Y=A.B 缺点：1、多级电平偏移；2、负载电阻的改变会影响输出高电平 四、二极管或门 Vcc Y=A+B 缺点：1、多级电平偏移；2、负载电阻的改变会影响输出高电平 静态特性及开关等效电路 　　在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在饱和和截止两种开关状态，放大区只是极短暂的过渡状态。 五、三极管的开关特性（双极型） (1) 截止状态 Vi为低电平时，满足 VBE VON (2)饱和状态 满足 iB IBS 三极管的动态特性 三极管的开关时间 开启时间ton 上升时间tr 延迟时间td 关闭时间toff 下降时间tf 存储时间ts 六、三极管非门 Vcc Vcc R S A 书上有关计算例题自学 七、MOS管的开关特性（重点） 静态特性： 说明：VDS不是为0，而是很小。K为常数，与沟道载流子迁移率、绝缘层介电常数、栅层厚度、沟道宽度、沟道长度有关。 MOS管的开关等效电路 动态特性：与双极型三极管基本相同。 其它类型的MOS管 八、MOS管非门 Vcc Vcc R S A A Y 总结：以上非门用的都是单开关，主要缺点是功耗比较大，为了克服这个缺点，将单开关中的电阻用另一个开关来代替，就形成了如右图的互补开关电路。下一节介绍的CMOS门电路就是互补的形式。在数字集成电路中得到了广泛应用。