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* * 第七节 版图电学参数计算 版图上的电学参数可以分为两大类：器件参数及寄生参数。下面简单介绍版图中常用的电学参数的估算方法。 一、分布电阻 一块宽度为W、厚度为T、长度为L的均匀导体的电阻，可以表示为： 令：L=W，可得一正方形导体的电阻为： 则：矩形导电层的电阻可简单地由方块电阻 乘上导电层的长宽比： * * 值得注意的两点是： 1. 方块电阻值与方块的大小无关。 2. 引入方块电阻后，各种材料的电阻值就可以表示成为与导体厚度无关的形式，而仅与导电材料的长度和宽度有关。 * * 书p34，表2.5给出了典型的3?m工艺的P阱CMOS工艺各导电层的方块电阻值，以下做几点说明: (1)N+扩散层的R?一般要比P+扩散层的R?小一些。 (2)多晶硅的R和与扩散层的R?都与掺杂浓度有很大关系。因此，不同的工艺，其值可能大为不同。 (3)MOS 管的V-I特性是非线性的，有时为了估算可将MOS管示为一个沟道电阻，只是它的阻值是由栅压控制的： * * K：可以看作是MOS管的沟道方块电阻， 一般阻值在5000~30000Ω/?范围内。 ?ox：Sio2介电常数， tox：栅Sio2层厚度 Vgs：栅源电压， Vt：MOS管开启电压 ?：电子或空穴迁移率，对n管为?n，p管为?p，其值随温度变化很大。 由于，?n?2.5?p，所以p沟电阻约为n沟电阻的2.5倍。 * * 二、分布电阻的计算方法： 1、当L?W时，可以近似为L?L1，总电阻：R=R?（L/W）+2Rcon 其中Rcon为接触孔电阻。 2、非矩形导体： （1）两边等宽的直角形： R=R1+Rconer+R2 =R?（L1/W+1/2+L2/W） 将拐角的电阻用1/2R?来计算。 * * （2）两边不等宽的直角形 R=R1+Rconer+R2 Rconer=R?(0.46+0.1W1/W2=R?(0.46+0.1?) ?为：宽边比窄边 R=R?（L1/W1+0.46+0.1?+L2/W2） * * 三、分布电容 平行板电容器的计算我们可以用下面的公式计算： 其中： ?0是真空介电常数， ?ox是Sio2的相对介电常数，4.0 tox是介质Sio2的厚度 A是平行板的面积 令：C?= 表示方块电容，单位是F/? 则：C= C??A * * 1、器件电容 器件电容大小可由C= C??A计算。 2、分布电容 * * 分布电容一般是由连线引起的寄生电容。例如：金属与衬底、金属与多晶硅、金属与扩散区、不同层金属之间、同层金属之间、多晶硅与衬底等等都会形成寄生电容。这类寄生电容的计算也可以用简单的平行板电容器公式来估算。 3、MOS器件电容 MOS器件本身存在两种电容：栅电容和扩散电容。 （1）栅电容：Cg=C??A * * 平行板电容： Cg=C??A 源漏交叠电容： Cgs、Cgd 总的栅电容应为：Cg=Cgb+Cgs+Cgd 其中：Cgb 本征电容 Cgs 栅源交叠电容 Cgd 栅漏交叠电容 * * （2）扩散电容 扩散电容主要是由源、漏扩散区与衬底或P阱之间形成的PN结电容。它由两部分组成：扩散区底面结电容和周边电容。Cd=Cja*（ab）+Cjp*（2a+2b） 其中：Cja 每平方?m的结电容 Cjp 每?m的周边电容 a 扩散区宽度 b 扩散区长度 书p38，2.5-2 有关于电容的计算例子。 * 第五章 版图设计技术 * 第一节 引 言 硅平面工艺是制造MOS IC 的基础。利用不同的掩膜版，可以获得不同功能的集成电路。因此，MOS IC版图的设计就成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 目前的版图设计方法有三种： 1、人工设计 人工设计和绘制版图，有利于充分利用芯片面积，并能满足多种电路性能要求。但是效率低、周期长、容易出错，特别是不能设计规模很大的电路版图。因此，该方法多用于随机格式的、产量较大的MSI和LSI或单元库的建立。 * 二、计算机辅助设计（CAD） 在计算机辅助设计系统数据库中，预先存入版图的基本图形，形成图形库。设计者通过一定的操作命令可以调用、修改、变换和装配库中的图形，从而形成设计者所需要的版图。 * 在整个设计过程中，设计者可以通过CRT显示，观察任意层次版图