清华大学VLSI6.pptVIP

* * 零偏时PN结电量： 这个附加电容比原来估计的要小很多，所以可以满足tr的要求。 用 计算，可得 要求。 下降时间： 要求 * * 直流传输持性和噪声容限： 根据所得参数计算出E/D反相器的直流传输持性： * * 取 时， （关门电平） 时， （开门电平） 于是：低电平噪声容限： 高电平噪声容限： 均大于给定的 的要求。 直流功耗 瞬态功能： 设： 则： * * 交变功耗： 设输入信号的上升和下降特性类似于本级： 则： 由于可见，反相器工作到15MH时，仍能承受预先提出的功耗要求。 * * （10）用SPICE电路模拟程序计算本设计结果。 * * 设计与模拟结果比较： * * 由此可见，动态功耗与输入信号频率成正比，而与器件参数无关。 * * （2）输入为非理想的波形 另一种动态功耗称为交变功耗 ，它是在输入波形为非理想波形时，反相器处于输入波形上升沿和下降沿的瞬间，负载管和驱动管会同时导通而引起的功耗。 交变电流 的峰值，tr，tf为输入信号的上升及下降延迟时间。 总功耗： P=Ps+Pd+PA * * 第三节 MOS管的其它参数 一、域值电压Vt ： Vt是晶体管的一个重要参数。计算表明，Vt的公式为： 其中： ：费米能级 q：电子电量 ：平带电压 ：衬底掺杂浓度 ：Si的介电常数 ：栅氧化层厚度 ：衬底与源极间所加的偏置电压 * * 一般通过调整 、 及 来调节Vt。 二、漏源截止电流 对于增强型的MOS管，VgVt时，由于PN结反向漏电流等原因造成的电流称为截止电流，以Ioff表示。 引起漏电的原因很多，下面仅介绍形成截止电流的几个组成部分，以N管为例： * * 1、PN结反向饱和电流Io： 结， 其中：A为PN结面积， D电子扩散系数， Ln电子扩散长度， 本征载流子浓度 2、耗尽层产生电流Ig： 其中：Xd为耗尽层宽度， 为少数载流子寿命。 * * 尤其要注意，由于 与温度有指数关系： 无论Io还是Ig都随温度上升迅速增加。 * * 3、场开启漏电流： MOS管的结构是金属——氧化物——半导体，在有源区我们利用此结构来做MOS管。在场区，同样也有可能存在这种结构，从而形成寄生的晶体管。 例如：一条Al引线如果跨越了两个相邻的扩散区，那麽就会形成场开启现象，产生场开启电流。 * * 三、栅源直流输入电阻： 对于结构完整的热生长SiO2，厚度在1500 左右时，电阻可达 以上。这样高的输入阻抗，使MOS电路具有很可贵的特性： （1）当一个MOS管驱动后面的MOS电路时，由于后面不取电流，所以静态负载能力很强。 （2）由于输入阻抗很高，使栅极漏电流很小。在室温下，Vds为零时，栅极漏电流一般只有 左右。这样可以将信息在输入端的栅电容上暂存一定时间，这就为MOS动态电路创造了条件。 * * 四、直流导通电阻 漏源电压Vds与漏源电流Ids的比值称为直流导通电阻Ron，即： 1、非饱和区的直流导通电阻 当Vds趋于零时， * * 2、饱和区的直流导通电阻 临界饱和点： Vds=Vgs-Vt， 即在临界饱和点的直流导通电阻为线性区Vds=0时的直流导通电阻的两倍： * * 五、栅源击穿电压BVgs 对于热生长的SiO2的临界击穿电场强度为 ，对于栅氧化层厚度 ，理论上允许的最大电压为： 例如：器件的W/L=4/1，L=1μm， 单位栅电容 则只需0.1μA的电流充电1ms的电量就足以使栅氧化层击穿，使电路失效。 * * 在芯片设计时，输入PAD端都要首先连接一个输入保持电路。 如图所示即为一个简单的输入保护电路，当Vgs不大时，二极管不起作用。当Vgs较大时，二极管PN结发生雪崩击穿，形成低阻通路，使Vgs下降，这种击穿是可逆的。 * * 六、漏源击穿电压BVds 晶体管出现沟道夹断后，工作在饱和区，其电流Ids不随Vds发生变化，出现恒流现象，但此时Vds不能任意加大，