射频通信电路预备基础知识案例.ppt

射频电路元器件及特性 金属导线的趋肤效应 Characteristic line impedance as a function of w/h. 传输线特性阻抗与结构, 材料特性的关系 Effect of conductor thickness on the characteristic impedance of a microstrip line Characteristic impedance (Zo) ranges for the various structures Structure Zo(Ω) Microstrip 20-125 Inverted microstrip 20-130 Trapped inverted microstrip (TIM) 30-140 Suspended stripline 40-150 Coplanar waveguide (CPW) 40-150 Slotline 60-200 Finline 10-400 Imageline ≈26 无损传输线特性 电压波/电流波沿无损传输线传播无衰减! 无损传输线特性阻抗 无损传输线传播常数 无损传输线上电压波/电流波特性 端接负载传输线的输入阻抗 电压反射系数 电压/电流波空间分布特性 无耗传输线情况下 另一坐标系统下 端接负载传输线的输入阻抗 驻波及驻波比(SWR/VSWR) 驻波特性 Standing wave pattern for various instances of time 驻波比(SWR/VSWR) SWR is a measure of mismatch of the load to the line SWR=1 (matched) SWR= very large (mismatch----total mismatch) 特殊情况分析与讨论 1. 一端口短路传输线的输入阻抗 Short Load 一端口短路传输线的输入阻抗与传输线长度关系 Voltage, current, and impedance as a function of line length for a short circuit termination. * 蔡竟业 jycai@uestc.edu.cn 第0章 射频电路预备基础知识 电子科技大学 蔡竟业 本章主要介绍射频电路元器件及特性, 传输线特性分析等方面的基础知识 一、 射频电路元器件种类 有源器件: (Vacuum/Solid-State) Diode,Transistor 无源器件: Resistor, Capacitor, Inductor, Transimision Line ，Crystal Resonator Three-terminal Transistors: Material: Si/CMOS/GaAs/InGaAs/InP/SiGe//SiC/GaN Structures: BJT/HBT /MESFET/HEMT/PHEMT Catalog: Si BJT, ft=50GHz, SiGe HBT, ft=100GHz GaAs/InP PHEMT, ft =150GHz, GaN HEMT:ft=280GHz 有源固态器件 Two-terminal Diodes: Si/GaAs/GaN Gun/IMPATT 封装型有源固态器件 无源器件 封装型无源器件 集成电路芯片中的无源器件 裸芯片(Die) 二、 无源器件的射频特性 No ideal lumped elements in RF anymore ! 无源器件有什么样的射频特性/特点？分布特性！ – Ideal R is frequency independent – Ideal inductor: –