各向异性磁阻效应与传感器实验.docxVIP

各向异性磁阻效应与传感器实验【实验目的】了解正常磁电阻效应、各向异性电阻效应的基本知识。了解各向异性磁阻传感器原理并对特性进行测量。测量亥姆霍兹线圈的磁场分布。【实验原理】1.磁电阻通常磁场会影响电阻率变化，磁电阻表示为。正常磁电阻效应正常磁电阻效应是由于电子受到洛伦兹力，产生回旋运动，增加了散射几率，导致电阻率增加。在低磁条件下，随着温度的升高，电阻率增加。各向异性磁电阻效应AMR依赖于磁场方向和电流方向的夹角。电阻率表示为：各向异性磁阻传感器各向异性电阻由沉积在硅片上的坡莫合金薄膜形成电阻。沉积时外加磁场，形成易磁化轴方向，通常通电电流与易磁化轴方向成45度角。下图是由四个各向异性磁阻原件构成的惠斯特电桥。无外磁场时，四个阻值相等，输出电压为0。有外磁场时，合成磁化方向偏转了一个小角度。结果使R2和R3夹角增大，电阻减小；相反，R1和R4增加，此时输出电压可表示为： 式中为电桥工作电压，R为桥臂电阻，故AMR传感器输出电压与磁场强度成正比，可利用磁阻传感器测量磁场。【实验仪器】磁阻传感器、亥姆霍兹线圈、角度位置调节装置。【实验步骤】测量准备调节线圈电流至0，再通过调节补偿电流使输出电压为0。再把线圈电流调至300mA，调节放大倍数，使输出为1.5V。磁阻传感器特性测量将线圈电流逐渐减小至-300mA，记录相应的输出电压值。电流换向时，必须按复位键消磁。测量各向异性时，线圈电流调