split-drain sensor模型综述.docVIP

Split-drain MagFET 磁敏传感器及其模型的介绍 § 1 介绍 磁敏传感器是把磁学物理量转化为电信号的传感器，并且根据一定的参考系数能够准确地读出被测磁学物理量的大小。它可以直接应用于包括测量磁场强度的各种磁场计，如地磁场的测量，磁带和磁盘地读出，等等；也可以间接应用于把磁场作为媒介用来探测非磁信号，如无接触开关、无触点电位器、电流计、功率计、线位移和角位移的测量等。 磁敏传感器的工作原理大多是基于载流子在磁场中受洛伦磁力的作用而发生偏转的机理。根据制造材料的磁导率，磁敏传感器可以分为两类：① 高磁导率材料（μ远远大于1）制成的磁敏传感器。如利用铁镍薄膜磁阻效应。② 低磁导率材料（μ≈1）制成的磁敏传感器。利用半导体材料的电磁效应制成的磁敏传感器：如磁敏二级管（Magnetodiode）、MOS磁敏晶体管（MagFET），双极磁敏晶体管（Magnetotransistor）等。除上述两类外，还有磁核共振、超导量子干涉器件等磁敏传感器。 目前，磁敏传感器发展的重要方向是半导体集成磁敏传感器。它可以采用集成电路工艺技术，把传感器和信号处理电路制作在同一芯片上，具有灵敏度高、体积小、性能可靠、成本低等优点。 本篇综述重点讨论以硅材料为基体、目前主流CMOS工艺为基础的分裂漏MagFET磁敏传感器（Split-drain MagFET，简称SDMFET），以及这种磁敏传感器的