第二章氧化工艺5.ppt

第二章 氧化工艺 § 2.1 SiO2的结构及性质 一、结构 分为晶态和非晶态，其区别在于结构的周期性。 一、结构 连接两个Si-O四面体的氧称桥键氧，连接一个Si-O四面体的氧称非桥键氧 结晶SiO2是由Si-O四面体在空间规则排列所构成,桥键氧 无定形 SiO2是由Si-O四面体构成，排列没有规律, (桥键氧 、 非桥键氧) 无定形 SiO2 ——SiO2 的分子只占空间体积43%, 密度：2.15-2.25g/cm3 结晶SiO2 ——密度：2.65g/cm3 桥键氧数目越多，网络结合就越紧密，否则就越疏松。 二、性质（物理性质） 密度： 是SiO2致密程度的标志。密度大表示致密程度高，无定形 SiO2密度：2.15-2.25g/cm3 制备的方法不同，密度也不同。 电阻率： 是良好的绝缘体，但杂质含量对电阻率有很大影响。不同制备的方法获得SiO2电阻率也不同。 如：热生长 1015-1016 Ω·㎝ 热分解107-108 Ω·㎝ 二、性质（物理性质） 介电强度：使用来表征薄膜的耐压能力。 表示单位厚度的SiO2薄膜所能承受的最小击穿电压，单位：V/cm 介电强度大小与薄膜的致密成都、均匀性、杂质含量有关，与密度成正比。 折射率：表征SiO2薄膜光学性质的重要参数。 与密度有关，密度大折射率大。 二、性质（物理性质） 介电常数：表征电容性能的一个重要参数。 对于MOS电容器，其电容量与结构参数的关系可用下式表示： C=ε0 εSiO2 S/d S为金属电极的面积，d为SiO2层的厚度， ε0 真空介电常数， εSiO2 为SiO2的相对介电常数，其值3.9。 二、性质（化学性质） 二氧化硅膜的化学稳定性极高，不溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不起作用。氢氟酸腐蚀原理如下： SiO2 + 4HF → SiF 4 ↑ + 2H 2O SiF4 +2 HF →H 2SiF6 六氟化硅溶于水。 利用这一性质作为掩蔽膜，光刻出IC 制备中的各种窗口 § 2.2 SiO2薄膜的用途 五种用途 杂质扩散掩蔽膜 器件表面保护或钝化膜 电路隔离介质或绝缘介质 电容介质材料 MOS管的绝缘栅材料 一、 二氧化硅膜的掩蔽性质 对扩散杂质的阻挡作用是有条件的、是相对的。事实上，当杂质向硅片表面扩散的同时也向表面进行扩散。 扩散系数与温度的关系： DSiO2=D0exp(-△E/kT) 1.扩散源的选取 Dsi DSiO2 B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数。 一、 二氧化硅膜的掩蔽性质 2. 掩蔽膜厚度的确定 SiO2 膜要有足够的厚度。一定的杂质扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度。 杂质在中的扩散服从扩散规律。如果定义扩散杂质扩透层，并在SiO2-Si界面处形成p-n结的厚度，称为对扩散杂质起掩蔽作用所需的最小厚度 。 二、作为器件表面的保护和钝化膜 在整个工艺流程中，使硅片表面免受机械损伤以及蒸发烧结，封装等工序中可能带来的杂质玷污或金属丝的粘联起到保护的作用。 将Si片表面及PN结同外界环境隔离开，消除环境气氛对Si片表面及PN结的直接影响。 三、电路隔离介质或绝缘介质 四、MOS管的绝缘栅材料 § 2. 3热氧化生长动力学 Si的氧化过程是一个表面过程，即氧化剂是Si 表面处Si 原子发生反应，由于 Si的表面不断向 Si体内移动，因此氧化剂要到达 Si表面并与 Si原子发生反应，必须经过三个步骤： 氧化剂从气体内部被传输到气体/氧化物界面 通过扩散穿过已形成的氧化层 在氧化层/ Si界面处发生化学反应 § 2.2.3热氧化生长动力学 § 2. 3热氧化生长动力学 A. 热氧化生长动力学原理方程 F1：氧化剂由气体内部传输到气体和氧化物界面的粒子流密度，即单位时间通过单位面积的原子数或分子数： F1 =hg(Cg -Cs ） （2.15） ? hg：气相质量输运系数 ? Cg：离硅片较远处气体的氧浓度 ? CS：二氧化硅表面外侧氧浓度 F2：氧化剂扩散通过已生成的氧化物到达Si-SiO2界面的扩散流密度: F2= ? D0 dN / dtox =线