模拟电子技术基础(9第四版)课件 第一章.pptVIP

4. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温度上升，所以PC 有限制。 PC?PCM § 1.4 场效应管(Field Effect Transistor,FET) 结型场效应管（JFET) 绝缘栅型（MOSFET) N沟道JFET P沟道JFET N沟道MOSFET P沟道MOSFET 增强型NMOS 耗尽型NMOS 增强型PMOS 耗尽型PMOS N 衬底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 导电沟道 1.4.1结型场效应管 一、结构 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 二、工作原理（以N沟道为例） UDS=0V时 PN结反偏，UGS 越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 ID UDS=0V时 UGS 越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当 UGS 较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 1.2.5 二极管的等效电路 1. 理想模型 理想二极管： （1）正向导通时死区电压和导通压降均为零，正向导通电流为无穷大。 （2）反向截至时，反向电流为零，反向击穿电压为无穷大。 2 开关等效模