硅半w导体表面杂质清洗的化学知识简介.pptxVIP

第三章 硅半导体表面杂质清洗 的化学知识简介 海棠2016.3.19《半导体工艺化学》天津科学技术出版社,1983《半导体制造工艺》张渊,机械工业出版社对硅片表面清洗的化学知识做了简要介绍，请读者在学习和应用时，进一步查阅相关书籍，核对相关数据和知识。目录1纯水简介 1.1纯水的概念 1.2水电阻率的影响因素2离子交换法制备纯水 2.1离子交换树脂 2.2离子交换法的装置 2.3离子交换法的原理 2.4离子交换法的其它知识 2.5电渗析法和反渗透法简介3硅表面杂质类型和清洗步骤 3.1硅表面沾污的杂质类型 3.2RCA清洗法4有机杂质的去除 4.1有机溶剂溶除 4.2碱和肥皂去油污 4.3合成洗涤剂去油污5无机杂质的去除 5.1无机酸 5.2氧化剂 5.3络合剂6清洗中的安全问题7铜布线层CMP后的清洗简介（微所在研项目）8清洗新研究的查阅1纯水简介1.1纯水的概念为什么使用超纯水？自来水、蒸馏水中含有很多杂质。使用这种水去清洗硅片、材料和器皿，会在清洗时把表面沾污。什么是超纯水？纯水，又叫去离子水。25℃电阻率大于5 MΩ·cm（5兆欧·厘米=5x108 Ω·cm ），超纯水，25℃电阻率大于18MΩ·cm1.2水电阻率的影响因素水越纯，杂质离子浓度越小，电阻率越大，可用电导仪测水的电阻率，空气：空气中的二氧化碳、其它可溶气体、灰尘等可溶于水中，使电阻率降低，温度