20130109磁控濺射ITO导电薄膜基础知识.docxVIP

磁控溅射ITO导电薄膜概述1.概念：铟锡氧化物( Indium Tin Oxide，简称ITO), 成份是 In2O3 和 SnO2，是一种n型半导体材料。导电性能好，透光率高，被沉积在玻璃或者PET薄膜形成透明导电电极。2.镀膜方式：气相法 化学气相沉积（CVD） 物理气相沉积（PVD） 热蒸发 溅射 离子镀 分子束外延液相法：化学镀、电镀、浸渍镀等其他方法：喷涂、涂敷其中，磁控溅射法比较适合ITO大面积，商业化生产，是目前最为常见的镀膜方式3.原理磁控溅射系统是在基本的二极溅射系统发展而来,解决二极溅射镀膜速度比蒸镀慢很多、 等离子体的离化率低和基片的热效应明显的问题。磁控溅射系统在阴极靶材的背后放置强力磁铁 ,真空室充入惰性气体(Ar) ,作为气体放电的载体。在高电压作用下 Ar 原子电离成为Ar+离子和电子,产生等离子辉光放电,电子在加速飞向基片的过程中 ,受到垂直于电场的磁场影响 ,使电子产生偏转 ,被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,电子以摆线的方式沿着靶表面前进,在运动过程中不断与Ar原子发生碰撞,电离出大量的Ar+离子,与没有磁控管的结构的溅射相比,离化率迅速增加10～100倍。Ar+离子在高压电场加速作用下,与靶材的撞击并释放出能量,导致靶材表面的原子吸收Ar+离子的动能而脱离原晶格束缚,呈中性的靶原子逸出靶材的表面飞向基片,并在基片上沉积形成薄膜。见下图适合高