1.1-1.3半导体范例.ppt

第1章 半导体材料的基本性质 1.1 半导体与基本晶体结构1.1.1 半导体 晶体结构是指原子在三维空间中周期性排列着的单晶体。 晶胞：单晶体结构可以用任意一个最基本的单元所代表，称这个最基本的单元叫晶胞。 晶格：单晶体是由晶胞在三维空间周期性重复排列而成，整个晶体就像网格一样，称为晶格。 格点与点阵，组成晶体的原子重心所在的位置称为格点，格点的总体称点阵。 1.1.5 半导体材料简介 1.2半导体的能带1.2.1 孤立原子中电子能级 孤立氢原子中电子能量公式： 1.2.2 晶体中电子的能带 本节重点讨论有原子结合成晶体时电子的运动规律 1.晶体中电子的共有化运动 1.2.3 硅晶体能带的形成过程 1.2.4 能带图的意义及简化表示 1.3 本征半导体与本征载流子浓度1.3.1 本征半导体的导电结构 本征半导体导带电子和价带空穴均能在外加电场作用下,产生定向运动形成电流,把上述两种荷载电流的粒子称为半导体的俩种载流子. 导带电子浓度和价带空穴浓度永远相等,这是本征半导体导电机构的一个重要特点. 1.3.2 热平衡状态与热平衡载流子浓度 在本征半导体中,载流子是由价带电子受晶格热运动的影响激发到导电带中而产生的,热激发有使载流子增加的倾向. 导带电子以某种形式放出原来吸收的能量与空穴复合,复合作用又使电子和空穴的数目减少. 我们把载流子的热激发产生率与复合率达到平衡的状态,称为半导体的热平衡状态.热平衡状态下的载流子浓度值称为热平衡载流子浓度. 1.3.3 本征载流子浓度 要分析载流子在外界作用下的运动规律,必须要知道它们的浓度及浓度分布情况. 在半导体的导带和价带中,有很多能级存在,相邻间隔很小,约为 数量级,可近似认为能级是连续的,故可把能带分为一个一个能量很小的间隔来处理. 设电子浓度为n,首先计算能量增量dE范围内的电子浓度. 定义n(E)是单位体积内允许的能态密度N(E)与电子占据该能量的机率函数f(E)的乘积.对N(E) f(E) dE从导带底Ec到导带顶Etop进行积分,可得电子浓度n. 式中N(E)称为能态密度,在单位体积晶体中,允许的能态密度表达式为 式中mn代表电子的有效质量;mp代表空穴的有效质量. 电子占据能量为E的机率函数称为费米分布函数,其表达式为 k为玻尔兹曼常数;T为热力学温度;EF是费米能级. 可以用曲线把费米分布函数式表示出来. 不同温度下费米分布函数随(E-EF)的变化关系 下图从左到右形象描绘出了能级分布,费米分布及本征半导体与空穴在能带中的分布情况. 1.3.4 费米能级与载流子浓度的关系 1.费米能级 费米能级在能带中所处的位置,直接决定半导体电子和空穴浓度. 费米能级的位置 2.两种载流子浓度的乘积 由上式可以看出,随温度的升高.半导体np乘积的数值是要增大的. 利用本征半导体电子和空穴浓度的关系可以得到 因此半导体两种载流子浓度的乘积等于它的本质载流子浓度的平方. 3.本征载流子浓度与本征费米能级 右图为 Si和GaAs中本征载流子浓度与温度倒数间的关系 ●导带 ●价带 有电子能够参与导电的能带，但半导体材料价电子形成的高能级能带通常称为导带。 由价电子形成的能带，但半导体材料价电子形成的低能级能带通常称为价带。 ●禁带宽度/Eg 导带和价带之间的能级宽度， 单位是能量单位：eV（电子伏特） 图1-6 导体、绝缘体、半导体的能带示意图 能带被电子部分占满，在电场作用下这些电子可以导电 禁带很宽，价带电子常温下不能被激发到空的导带 禁带比较窄，常温下，部分价带电子被激发到空的导带，形成有少数电子填充的导带和留有少数空穴的价带，都能带电 3~6eV 硅1.12eV 锗0.67 eV 砷化镓 1.42 eV 半导体能带简化表示 a）能带简化表示 b） 能带最简化表示 一般用“Ec”表示导带底的能量，用Ev表示价带底的能量，Eg表示禁带宽度。 ●空穴 价带中由于少了一些电子，在价带顶部附近出现了一些空的量子状态，价带即成了部分占满的能带（相当于半满带），在外电场作用下，仍留在价带中的电子也能起导电作用。 价带电子的这种导电作用相当于把这些空的量子状态看作带正电荷的“准粒子”的导电作用，常把这些满带中因失去了电子而留下的空位称为空穴。 所以，在半导体中，导带的电子和价带的空穴均参与导电，这与金属导体导电有很大的区别。 图中“● ”表示价带内的电子 ;图中“○ ”表示价带内的空穴。 图1-7 一定温度下半导体的能带示意图 ●导带底EC ●价带顶EV ●禁带宽度 Eg ●本征激发 导带电子的最低能量 价带电子的最高能量 Eg