4.3电荷耦合器件解释.ppt

4.3 电荷耦合器件 在MOS（Metal Oxide Semiconductor）电容金属电极上，加以脉冲电压，排斥掉半导体衬底内的多数载流子，形成“势阱”的运动，进而达到信号电荷（少数载流子）的转移。 图像传感器：转移的信号电荷是由光像照射产生； 若所转移的电荷通过外界诸多方式得到，则其可以具备延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功能。 4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理 CCD是一种半导体器件 MOS电容的结构 1．金属 2．绝缘层SiO2 4.3 电荷耦合器件 平带条件下的能带 Ec导带底能量 Ei禁带中央能级 Ef费米能级 Ev价带顶能量 平带条件： 当MOS电容的极板上无外加电压时，在理想情况下，半导体从 体内到表面处是电中性的，因而能带(代表电子的能量)从表面到 内部是平的。 加上正电压MOS电容的能带 (a)栅压UG较小时，MOS电容器处于耗尽状态。 (b)栅压UG增大到开启电压 Uth时 ,半导体表面的费米能级 高于禁带中央能极, 半导体表面上的电子层称为反型层。 有信号电荷的势阱 当MOS电容器栅压大于开启电压UG，周围电子迅速地聚集到电极下的半导体表面处，形成对于电子的势阱。 势阱：深耗尽条件下的表面势。 势阱填满：电子在半导体表面堆积后使平面势下降。 信号电荷转移 CCD的基本功能是存储与转移信息电