光电技术知识点总结.docVIP

光电技术知识点总结 试求一束功率为30mW、波长为0.6328激光束的光子流速率 ?e,?d?因 dNe,?? hv ，激光器只辐射特定波长的光，因此该式可变换为： ???? N? ?30?10?3?0.6328?10?6 ??9.55?1016在卫星上测得大气层外太阳光谱的最高峰值在hvh?c6.626?10?34?3?108(1/s)0.465处若把太阳作 为黑体计算表面温度以及辐射度 若已知光生伏特器件的光电流分别为50uA与300uA暗电流为1uA计算它们的开路电压 计算人体正常温度和当发烧到38.5时其峰值波长分别是多少 某只CdS光敏电阻的最大功耗为30mW,光电导灵敏度S/lx暗电导试求偏置电压为20V时的极限照度 设某光敏电阻在100lx的光照下阻值为2KΩ 激光单路干涉测位移的装置中（1）反光镜M3移动多少毫米时脉冲个数为100、（2）该测位移装置的灵敏度是多少、最高精度是多少？ 已知He-Ne激光器发出的波长为0.6328μm的激光。 被测位移量有关系 n? 2L 2?10 6 ? ? ?3.160556?106 个脉冲 0.6328 灵敏度为：，?12?? 2??0.1582?m 或0.3614μm。最高测量精度不 低于?0.16?m。 假设两块光栅的节距为0.2MM两光栅的栅线夹角为1°，求莫尔条纹的间隔，求相互移动的距离 条纹间隔的宽度为： m? dd 0.2 ?11.4592(mm) 2sin(? ? ? 当光电器件探测出 2 180 莫尔条纹走过10个，则两光栅相互移动了2mm 利用2CU2 光电二极管和3DG40三极管构成的探测电路二极管的电流灵敏度S=0.4uA/uW，其暗电流Id=0.2uA,三极管放大倍率为50倍最高入射功率400uW，拐点电压1.0V求入射辐射变化50uW时输出电压变化多少 3.10 已知光电三极管伏安特性曲。若光敏面上的照度变换e=120+80sinωt(lx)，为使光电三极管输出电压不小于4V的正弦信号，求负载电阻RL、电源电压Ubb及该电路的电流、电压灵敏度， 解Φ=120+180=200（lx）Φmin=120-80=40(lx) U ce??4?11.314(V) 则Ubb=20(v)或者18v 当Φ=40(lx)时，Ic=1.1(mA),Φ=200(lx)，Ic=5.4(mA) 则：ΔIc=5.4-1.1=3.3(mA) ?U?U??IC?RRL? ?I?11.314 ?3.428(k)LC3.3 电流灵敏度：II CP ?SI??得： S???3.3 I? ?160 ?0.0206(mA/lx)电压灵敏度：?U ?SU??? 得： S?UU? ???11.314 160 ?0.0707(V/lx)4.14 照灵敏度为光电倍增管内。求：50A/GDB44F的阴极光照灵敏度为0.5μA/lm，阳极光 时， (3) 若已知该光电倍增管为(1) 阴极面上允许的最大光通量。lm，要求长期使用时阳极允许电流限制在12级的Cs3Sb(2) 当阳极电阻为2μ倍增级，其倍增系75kA以Ω数δ=0.2(UDD)0.7， (4) 当 要求输出信号的稳定度为1%时，。解 1) 根12DD)0.7且：G?? ?? 得： Udd=89.3(v) ?Ubb1?U?U12U?1 1200 ?0.0833％4) 已知?U ?Ubb bbU ?n Ubb 篇二：光电检测技术知识点总结 1、光电效应应按部位不同分为内光电效应和外光电效应，内光电效应包括（光电导）和（光生伏特效应）。 2、真空光电器件是一种基于（外光电）效应的器件，它包括（光电管）和（光电倍增管）。结构特点是有一个真空管，其他元件都放在真空管中 3、光电导器件是基于半导体材料的（光电导）效应制成的，最典型的光电导器件是（光敏电阻）。 4、硅光电二极管在反偏置条件下的工作模式为（光电导），在零偏置条件下的工作模式为（光生伏特模式）。 5、变象管是一种能把各种（不可见）辐射图像转换成为可见光图像的真空光电成像器件。 6、固体成像器件（CCD）主要有两大类，一类是电荷耦合器件（CCD），另一类是（SSPD）。CCD电荷转移通道主要有：一是SCCD（表面沟道电荷耦合器件）是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输；二是BCCD称为体内沟道或埋沟道电荷耦合器件，电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并沿着半导体内一定方向传输 7、光电技术室（光子技术）和（电子技术）相结合而形成的一门技术。 8、场致发光有（粉末、薄膜和结型三种形态。 9、常用的光电阴