大学计算机微机原理--第5章 存储系统.pptx

第5章 存储器系统主要内容：存储器系统的概念半导体存储器的分类及其特点半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接存储器接口设计（存储器扩展技术）高速缓存§5.1 概 述主要内容：存储器系统及其主要技术指标半导体存储器的分类及特点两类半导体存储器的主要区别一、存储器系统1. 存储器系统的一般概念将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同 的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法 连接起来系统的存储速度接近最快的存储器，容量接近 最大的存储器。构成存储系统。2. 两种存储系统在一般计算机中主要有两种存储系统：主存储器高速缓冲存储器Cache存储系统主存储器磁盘存储器虚拟存储系统Cache存储系统对程序员是透明的目标：提高存储速度Cache主存储器虚拟存储系统对应用程序员是透明的。目标：扩大存储容量主存储器磁盘存储器3. 主要性能指标存储容量（S）（字节、千字节、兆字节等）存取时间（T）（与系统命中率有关）命中率（H）T=H*T1+（1-H）*T2单位容量价格（C）访问效率（e）4. 微机中的存储器 通用寄存器组及 指令、数据缓冲栈片内存储部件高速缓存内存储部件主存储器联机外存储器外存储部件脱机外存储器二、半导体存储器1. 半导体存储器半导体存储器由能够表示二进制数“0”和“1”的、具有记忆功能的半导体器件组成。能存放一位二进制数的半导体器件称为一个存 储元。若干存储元构成一个存储单元。2. 半导体存储器的分类内存储器随机存取存储器（RAM）只读存储器（ROM）随机存取存储器（RAM）RAM静态存储器（SRAM）动态存储器（DRAM）只读存储器（ROM）只读存储器掩模ROM一次性可写ROMEPROMEEPROM3. 主要技术指标存储容量存储单元个数×每单元的二进制数位数存取时间实现一次读/写所需要的时间存取周期连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间可靠性功耗§5.2 随机存取存储器掌握：SRAM与DRAM的主要特点几种常用存储器芯片及其与系统的连接存储器扩展技术一、静态存储器SRAM1. SRAM的特点存储元由双稳电路构成，存储信息稳定。p1962. 典型SRAM芯片掌握： 主要引脚功能工作时序与系统的连接使用典型SRAM芯片SRAM6264：容量：8K X 8b外部引线图6264芯片的主要引线地址线：A0------A12；数据线：D0------D7；输出允许信号：OE；写允许信号：WE；选片信号：CS1，CS2。6264的工作过程读操作写操作 工作时序3. 8088总线信号MEMR、MEMW8088总线存储器A19-A0RD、WRIOR、IOW 输入/输出A15-A04. 6264芯片与系统的连接8088总线SRAM 6264D0~D7D0~D7A0A0??????A12A12WEMEMWMEMROECS1译码电路高位地址信号┇CS2+5V5. 存储器编址000000100001001111110110高位地址（选片地址）低位地址（片内地址）存储器地址内存地址片选地址片内地址高位地址低位地址6264芯片的编址A19A0A12X X X X X X X0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0片首地址A19A0A12X X X X X X X1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1片尾地址存储器编址000010000001001111110110CSCS译码器0106. 译码电路将输入的一组高位地址信号通过变换，产 生一个有效的输出信号，用于选中某一个 存储器芯片，从而确定了该存储器芯片在 内存中的地址范围。将输入的一组二进制编码变换为一个特定 的输出信号。译码方式全地址译码部分地址译码全地址译码用全部的高位地址信号作为译码信号，使 得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯 一的内存地址。全地址译码例SRAM 6264A191A181A171A16CS11CS20A150?1A1401A13+5V06264芯片全地址译码例A19A0A121 1 1 1 0 0 00 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0片首地址A19A0A121 1 1 1 0 0 01 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1片尾地址该6264芯片的地址范围 = F0000H~F1FFFH全地址译码例若已知某SRAM 6264芯片在内存中的地址为： 3E000H～3FFFFH试画出将该芯片连接到系统的译码电路。全地址译码例设计步骤：写出地址范围的二进制表示；确定各高位地址状态；设计译码器。A19A0A120 0 1 1 1 1 10 0 0 0 0 0 0