* 2.4 光发送机和光接收机 2.4.1 光发送机 2.4.2 光接收机 * 图2-16 光接收机组成框图 * 作用:将光信号转换为电信号。 主要类型:PIN光电二极管和雪崩光电二极管APD 工作原理: PIN光电二极管 光生电流 APD光电二极管 雪崩效应 APD Avalanche Photo Diode 1.光检测器 * 图2-17 PIN光检测器 工作原理图 * PIN光电二极管 在入射光作用下,由于受激吸收,产生电子-空穴对运动,在闭合电路中形成光生电流,完成光-电转换。 在PN型半导体之间加一层较厚的本征半导体层(I层)的目的,为了提高PN结的光电转换效率和响应速度。 APD光电二极管 在结构上承受高的反偏压(几十至200V),在PN结中形成强场区,使光生载流子高速移动。高速载流子碰撞晶格原子而产生雪崩效应,使光生载流子产生倍增机制。 APD产生的电流大,且响应速度快。 光检测器 * 图 光电二极管输出电流I和反向偏压U的关系 图 APD载流子雪崩式 倍增示意图 * 光检测器 特性参数 截止波长?c h为普朗克常数; c为光速; Eg为带隙能量,单位为eV。 不同半导体材料,其Eg不同,故工作波长范围也不同。 例: GaAs:700~870nm Si:
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