晶体管特性文献翻译范文.doc

晶体管特性 第一章中已经指出，晶体管能够放大电流。因此，晶体管在电子线路中应用很广，例如音频放大器，助听器，扩音机放大器，无线电接收机和电视接收机，测量仪表和工业控制。另外，晶体管也可以用作“电子开关”，它可使电流通路或者呈现高电阻或者呈现低电阻。这就是晶体管有可能在计算机电路和控制系统中获得广泛应用。 对每一项应用都必须进行细致的电路设计，在能够系统地进行设计工作之前，应对晶体管这一电路元件的特性有个详尽的了解，知道什么是最佳工作电压和电流，对信号的阻抗有多大，晶体管的放大倍数有多大，什么是晶体管输出端内阻抗等等。这些特性资料可从各类晶体管有关数据中获得，这些数据由制造厂商提供，印成“数据表”发行，使晶体管使用者能根据此进行初步设计，而不必自行量测。 首要的问题是取得晶体管电压电流关系曲线。通常要提供出两组曲线；发射结正向电压电流特性曲线，通常称为发射极特性曲线或输入特性曲线；以及集电结反向电压电流曲线，通常称为集电极特性曲线或输出特性曲线。 1 基特性曲线 首先研究共基极电路，图1所示为发射极基极正向特性曲线，它描述了发射极电流如何随发射极基极电压从零正向增高而增大。图上所示的特性曲线是小型锗管的典型曲线。由图可看出，最初电流随电压增高而增加，但增加的幅度很小。在这期间，外加电压逐渐克服pn结的势垒。势垒一旦被中和，电流就迅速增加。 图1 发射极基极正向特性曲线 现在来研究发射极电流变化时集电极电路出现的情况。首先，发射极电流为零时集电极基极特性如图2中IE=0的曲线所示。 它和前面图所示的pn结反向特性曲线相似。图中的小股电流称为集电结的漏电流。现在使发射结电流增加到1毫安（图1中的A点），并使之维持不变。我们看到，几乎全部发射极电流都传送到集电极，通过集电极的电流量与集电极电压的高低无关。这样，集电极电压电流特性曲线就成了图2中IE=2,3,4和5毫安时的集电极曲线B,C,D和E。集电极特性曲线几乎处于水平位置这一性质突出了高输出电阻这一特性，因而集电极电压发生大幅度变化时，电流变化很小。 图2 集电极基极特性 图3 集电极特性曲线 2 图4 共基极放大器的倒位关系 3 单电源共基极电路 图5 单电池共基极电路 4 共发射极特性曲线 共发射极连接时可得出与共基极连接时相类似的特性曲线。首先是输入特性曲线，它表明基极电流随发射极基极结两端电压正向升高而变化的情况，如图6所示； 其次是输出特性曲线，它表明集电极电流随不同基极电流下的集电极电压变化已定的情况下，基极电流变化比发射极电流变化小。图7的输出特性曲线和共基极特性曲线很相似，只是电流曲线有明显的坡度，即电流随电压而增大。这说明它的输出电阻比基极电路低，但它仍然是相当高的。此外，集电极电压为零时集电极电流也为零，这是因为基极电流所形成的电势并没有出现在集电极反射极回路。 图6 共发射极特性曲线 图7 2N78输出特性曲线 5集电极曲线的应用 图8 Ib—Ic曲线 b—Ic曲线。 虽然这条曲线并不完全是一条直线，但它确实很近似于直线，如果晶体管用于例如音频放大电路，我们就可以说：如果Ib的变化局限在相当小的范围内，集电极电流就随Ib作线性变化。 这一提法可进一步解释如下：如馈入基极的输入电流是弱音频电流，则集电极回路的电流变化比输入电流的变化大，但其波形保持不变。这样，我们得到一种度量我们对这类晶体管所能要求的保真度的方法，或者反过来说，度量晶体管固有畸变的方法。 图9 晶体管畸变曲线 b—Ic曲线是条直线，其固有畸变就为零。曲线的曲率越大，晶体管本身所造成的畸变越严重。 前面所有讨论的前提是，电路元件选择恰当，才能使所用的晶体管产生正常的偏压。不然，就可能出现与晶体管固有特性无关的畸变。 图10 Ic的改变影响Ib的改变 b—Ic曲线在几秒钟内即可估算出晶体管的β值。晶体管集电极特性一般可在制造厂商的参数表中取得。让我们利用它来校核晶体管2N78的?值，即常说的所谓的基极电流增益。 晶体管2N78通常在5伏集电极电位下工作，我们先找出5伏线，然后沿此线选出基极电流变化的一般区域范围内，例如从100微安到125微安。利用我们已经知道的等式β=ΔIC/ΔIb，取Ib从100微安到125微安的变化为ΔIb，它等于25微安。然后，我们可注意到在Ib的变换范围内Ic从2.9毫安变为3.5毫安。将这些值代入等式就得到： β===24 6 单电池共发射极电路 关于这个电路，让我们先回顾第三节双电池共基极放大器改成单电池电路的部分。你可能会发现，为了提供所需要的偏置电位，需要在基极回路上外加一电阻和电容。电阻Rb使基极相对于发射极（正向偏置）