光学通信中半导体激光器的能带结构工程讲义.docVIP

光学通信半导体激光器的能带结构工程外延生长的展人工修改半导体材料的电子结构能带结构前景。应变和量子的结合在价带导致激光自然半导体晶更多良好的能量色散关系。数值结果给出了光学通信一系列能带在1.55附合金成分最佳波。在设计带结构激光阈值和可以明显。最近价带有效质量的降低大半导体激光器相当的好处。这项能带结构工程技术包括超晶格量子限制和应变已经非常先进它可以使用常规的方式。我们必须把-V半导体晶体的自然电子能带结构作为应用。我们可能带结构来满足我们的需要。在本文中我们扩展以前的工作通过提供一系列合金成分应变层能带结构计算可能半导体激光用于光通信重要。半导体激光器主要价带质量。不幸的是在半导体很轻导带质量和沉重的价带质量存在严重的不对称。理想都应该尽可能的轻。密度非常小和载体密度。然后Bernard-Duraffourg条件满足低载体处在阈值电流方面非辐射的复合等。点价带顶端有一个原子波函数的对称性。沉重的价带相当于一个m = 3/2态和光退化价带相当于一个m = 1/2的状态，占点的四倍。特别是能级降低受到小扰动。在这种情况下， 在z方向的张力或z方向者量子限制可以分裂点的简并性。给予适当的张力，价带光可以转移到上面的重带，减少的空穴有效质量。 众所周知，增益阈值条件是的Bernard- Duraffourg[4]条件： （1） 这需要准费米能级的距离应大于带隙。在图（a）和（b）中，最低限度地满足这种情况。实际上，准费米能级的分离度应大于最小值1或2 KT，以克服腔损耗等，但这不会改变我们的任何结论。二维态密度每单元载流子能量每单位面积是，独立于载波子能量。图1（b）中单位面积须达到的准费米能级距离为载流子注入能级n： （2） 图1（a）说明的情况更加复杂。减少的电子的密度，是减少的能量。空穴非退化，其密度ρ可近似为： （3） 方程中等同n和p的结果是，迭代求解可进行手算： （4） 对于=1.43 KT，一个合理的值是1/6。因此，在这种情况下，图1（a）中入射能级比分为在是1.43/ln2，这个因数大于2。载流子注入激发能级被削弱的同样的空穴和电子群的能带结构工程材料。 更容易满足Bernard - Duraffourg的条件的唯一好处不是降低价带质量。更改后的能带结构还有其他好处。在确定激光阈值条件，高度关注的是无辐射复合，尤其是俄歇复合的形式，其中两个空穴和电子碰撞和重组，只留下一个空穴和一些热能。这个重组过程趋向于继续以成正比的载体立方密度。显然，即使一个因素两个还原入射水平在俄歇复合可以产生减少一定数量级。但是，这实际上低估了它的好处。不仅是载流子密度减小， 而且我们将证明俄歇复合系数本身将被减少。 半导体激光器的另一个问题涉及的不是阈值条件，而是自由载流子吸收，这是上述的激光阈值。一旦重空穴的自由载流子吸收以中间价带波段吸收的形式是主要原因。变化的能带结构表明我们正在考虑将采取行动，特别是减少满足动量匹配条件中间价带吸收重空穴的数量。 半导体激光器的一个寄生现象是能带结构工程很难进行自发辐射。仅仅电子与空穴的普通辐射复合而有助于所需的电流密度阈值。根据首次由爱因斯坦证明的受激和自发辐射之间的关系通过他的A和B系数联系在一起，如果我们要有激光作用，它必须伴随着自发发射。但是最近出现了一个建议以限制的自发发射，这通常传播到所有的，因此只能有激射模式，并抑制其他方向。 由此，阈值的辐射复合可能减小到可以忽略的水平。抑制自发发射是著名的实验难以实现。我们解决不了这个能带结构问题工程。 为了更好地了解中间价带吸收以及我们如何影响它，去研究图2将富有成果，所示出的是价带区域的顶部包括轻质和重质空穴和自旋轨道分裂带。对于重要的实际案例，自旋轨道之间的分裂带和顶部价带的能量差是~0.35ev。如图2所示，先进的中间价带吸收过程与受激发射一次激光竞争已经高于阈值。同时吸收光子能量等于0.8ev的带隙能量需要与几乎没有任何附带势头，这需要采取从中心区很远的地方转移。特别的是，我们可以希望影响通过能带结构工程来让中间价带吸收依赖于区中央沉重空穴的数量，可以证明以后能手算特定能量带。 同样，从图3中可以看出，俄歇复合是还特别依赖对关区中央洞沉重空穴的数量。领先的俄歇过程CHSH，采用自旋轨道的优势分裂能带用最少的动量占用尽可能多的能量。 CHSH代表在轨道分裂带上两个空穴和一个电子重组产生的一个充满活力的自旋空穴。图3所示能量和动量守恒的两个箭头必须是反平行和长度相等。