第10章 静电学 - 2 - 高斯定理.pptxVIP

?dSdSE§10.3高 斯 定 理1.电通量电通量-----在电场中通过任一给定曲面的电场线条数。 (1)通过面元dS的电通量为d?e =EdS?=EdScos?令称为面积元矢量 显然，电通量d?e是标量，其正负取决于?。?SE图8-11 (2)对一个任意曲面S,通过的电通量应为特例：匀强电场中通过某一 平面S的通量??S(3)通过一个封闭曲面S的电通量可表示为 对于闭合曲面, 规定由内向外的方向为各处面元法向的正方向。 当电场线从面内穿出时, d?e 为正; 当电场线由面外穿入时, d?e为负。 因此，通过整个封闭曲面的电通量?e , 就等于穿出与穿入该封闭曲面的电场线的代数和(净通量)。 思考(1)封闭面内无电荷，(2)封闭面内有电荷，rq2.真空中的高斯定理 在真空中的静电场内, 通过任意封闭曲面(高斯面)的电通量等于该封闭曲面所包围的电荷的电量的代数和乘以1/?o倍 。证： (1)点电荷q位于一半径为r的球面中心，则通过这球面的电通量为srqrq (2)对包围点电荷q的任意形状的曲面S来说, 显然 q1sQ1qiQjqnQmsq(3)如果闭合面S不包围点电荷q, 则 (4)设封闭曲面S内有n个点电荷q1, q2, …qn，封闭曲面S外有m个点电荷Q1, Q2, Qm,则任一点的电场为 q1sQ1qiQjqnQm即这就是高斯定理。对于电荷连续分布的带电体产生的电场，高斯定理可表示为：上式中V是闭合曲面(高斯面) S所包围的体积，?是电荷体密度。高斯面S上各面元处的场强是由所有电荷(既包括封闭曲面内，又包括封闭曲面外的电荷)共同产生的+q: 发出 条电场线，是电场线的“头” -q: 吸收 条电场线，是电场线的“尾” 讨论 (1)高斯定理表明，通过一任意封闭曲面的电通量只取决于封闭曲面所包围的电荷量的代数和，与内部电荷怎样分布无关，也与面外的电荷无关。 (2)高斯定理(3)高斯定理揭示了静电场中“场”和“源”的关系静电场的重要性质 —— 静电场是有源场3.高斯定理求场强？(1)场强分布具有对称性：(a)球对称，如点电荷、均匀带电的球体、球面、球壳。(b)轴对称，如均匀带电无限长直线、柱体、柱面。(c)面对称，如均匀带电的无限大平面、平板。E(2)根据场的对称性，选择适当的高斯面，使积分 中的 能以标量的形式从积分号内提出来；ro(a)球对称， 选同心球面作为高斯面。S于是球对称场的高斯定理可写为 r(b)轴对称， 选同轴圆柱面作为高斯面。SlE于是轴对称场的高斯定理可写为?选轴线垂直于带电平面且相对于平面对称的圆柱面作为高斯面。(c)面对称，EEΔS(3)求出高斯面所包围的电量。(4)应用高斯定理计算场强数值。rR例10-7 一均匀带电q的球体，半径R，求球内外的场强。 解 由于电荷分布具有球对称性，因而电场分布也具有球对称性。取半径r的同心球面为高斯面，则于是球对称场的高斯定理可写为或rERrRr≤R:qr≥R:即球面外任一点的场强等于全部电荷集中在球心点电荷产生的场。dr?Rr?r例10-8 一带电球体，半径R，电荷体密度为? =?0(1-r/R), ?0为常量；求:(1)球内外的电场；(2)场强的最大值及相应的半径。解 (1)电荷非均匀分布但具有球对称性，因而电场分布也具有球对称性。取同心的球面为高斯面，则:r≤R: E1·4? r2 =完成积分得：r≥R: E2·4? r2 =r≤R: r≥R: R得:由(2)场强的最大值及相应的半径。 场强最大值出现在球内：Rrl例10-9 一均匀带电的无限长直柱体，半径为R，电荷体密度为?，求柱内外的场强。 解 场具有轴对称性, 电场方向垂直轴线指向四周, 如图所示。 选同轴封闭柱面为高斯面, 则：由高斯定理Rrlr≤R:E·2?rl =r≥R:E·2?rl =yoz平面xdxoSSxEExx例10-10 设电荷体密度沿x轴方向按余弦规律: ? =?ocosx 分布在整个空间, ?o为幅值，求电场分布。 解 把带电体看成是由许多平行于yoz面的无限大均匀带电平面组成。由此判断: 电场方向沿x轴, 且对yoz平面对称。选如图所示的柱形高斯面, 由高斯定理： ?PPr1?P+o?=oo?o-?a例10-11 电荷体密度为?的球体内有一球形空腔，两球心相距a, 如图所示。求空腔中任一点P的电场。 解 空间任一点的电场可看作是带电??的两个实心球体电场的叠加。P由例10-6的结果可知，球体内： ?PP?r1P+o?=oo?o-?ar1-r2o?oaP空腔中任一点P的电场为大小：方向：由o指向o?。即空腔内的场为均匀电场，此法又称为补缺法。yEoxaza 例10-12 空间的电场分布为: Ex=bx , Ey=0