第9章存储器学案.ppt

复位后用户看见的地址空间 Flash SRAM BootBlock VPB外设 AHB外设 00xFFFFFFFF 00xE0000000 0片外存储器 存储器映射控制重新映射前后地址 0 1 MEMMAP[1:0]= 1 0 0 0 1 1 不重新映射 练习题： 1、32位ARM处理器可访问的存储器空间范围是多少？ 2、ISP和IAP方式较老式的程序烧录方式最大优势是什么？这二者又有什么区别？ 3、存储器重新映射指的是什么？具体是如何控制的？ * 9.2 存储器接口 1、EEPROM和Flash的比较 2、Nand Flash和Nor Flash 3、SRAM * 1、EEPROM和Flash的比较 EEPROM（电可擦除可编程只读存储器） 在不加电的情况下能长期保持存储的信息，可多次擦除的非易失性存储器 Flash Memory也属于EEPROM 又称闪存，既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，体积小，功耗低，抗振性强等优点，是嵌入式系统的首选存储设备。 为什么要把Flash单独拿出来呢？ * FLASH?和EEPROM的最大区别： FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。 * 2、Nand Flash和Nor Flash Flash主要有两种类型：“或非NOR”和“与非NAND” Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术 东芝公司1989年发表了NAND Flash结构 Nand Flash与Nor Flash对比： （1）接口对比NOR型FLASH采用的是SRAM接口，提供有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其片内的每一个字节；NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 * (2) 读写的基本单位 NOR型FLASH操作是以“字”为基本单位； NAND型FLASH操作是以“页面”为基本单位，页的大小一般为512字节。 (3) 性能比较 NOR型FLASH的地址线和数据线是分开的，传输效率很高，程序可以在芯片内执行。NOR型的读速度比NAND型稍快一些； NAND型的写入速度比NOR型快很多(由于NAND型读写的基本单位为“页面”，所以对于小量数据的写入，总体速度要比NOR型慢)； 例子：擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间约为为5s。擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。 * (4) 容量和成本 NAND型FLASH具有极高的单元密度，容量可以做得比较大，加上其生产过程更为简单，价格也就相应地降低了。 NOR型FLASH占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND型FLASH只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。 * (5) 软件支持 在NOR型FLASH上运行代码不需要任何的软件支持，而在NAND型FLASH上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序MTD (Memory Technology Drivers)。NAND型和NOR型FLASH在进行写入和擦除操作时都需要MTD(说明，MTD已集成在FLASH芯片内部，它是对FLASH进行操作的接口)。  * 总结： NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 * 当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素： NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 SST39VF160是SST公司的CMOS多功能FLASH（MPF）器件，存储容量为2M字节，16位数据宽度(即一个字为2字节)，工作电压为2.7～3.6V。SST39VF160由SST特有的