2012机械本科班《电工学》(电子技术)复习题概述.doc

2012机械本科班《电工学》（电子技术）复习题 第14章 半导体器件 习题参考答案 一、填空题： 1. PN结的单向导电性指的是 PN结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性 。 2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为 0.7 V和 0.3 V。 3. 晶体三极管有两个PN结，分别是 发射结 和 集电结 ，分三个区域 饱和 区、 放大 区和 截止 区。晶体管的三种工作状态是 放大状态 、 饱和状态 和 截止状态 。 4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于 饱和 状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于 截止 状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为 放大 状态。 5. 物质按导电能力强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 。 6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是 P 型半导体，其多子为 空穴 。 7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为 发射 极，管脚“2”为 基 极，管脚“3”为 集电 极，且属于 锗 材料 PNP 型三极管。 8. 稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅 二极管，工作在特性曲线的反向击穿 区。 9．半导体中有自由电子与空穴两种载流子参与导电 10．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。 11．PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 12．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增加，正向压降将减小。 13．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 14．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 15．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 16．测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650（ ） ，交流电阻等于 26（）。 二、判断题 1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ 对） 2、因为N型半导体的多子是由自由电子，所以它带负电。 （错） 3、二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。 （对） 4、只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。 （错） 三、选择题： 1. 处于截止状态的三极管，其工作状态为（ B ）。 A、发射结正偏，集电结反偏； B、发射结反偏，集电结反偏； C、发射结正偏，集电结正偏； D、发射结反偏，集电结正偏。 2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3. 稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（ B ）。 A、PNP管，CBE；B、NPN管，ECB； C、NPN管，CBE； D、PNP管，EBC。 5. 用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ,这说明该二极管是属于（ D ）。 A、短路状态； B、完好状态； C、极性搞错； D、断路状态。 6. 测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE＝3V，VB＝3.7V，VC＝3.3V，则该管工作在（ B ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、击穿区。 7. PN结加正向电压时，其正向电流是（ A ）。 A、多子扩散而成； B、少子扩散而成； C、少子漂移而成； D、多子漂移而成。 8. 三极管组成的放大电路在工作时，测得三极管上各电极对地直流电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则此三极管已处于（ A ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、击穿区。 9、杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （C） A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷 10、PN结形成后，空间电荷区构成由 （D） A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子 11、硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而 （ B ） A.减小 B.基本不变 C.增大 12、流过二极管的电流增大，其