三端双向可控硅进行可靠操作的设计规则-151207范文.docVIP

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  • 2016-11-26 发布于湖北
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三端双向可控硅进行可靠操作的设计规则-151207范文.doc

三端双向可控硅进行可靠操作的设计规则 ——151207 1,正确触发 要打开一个双向可控硅开, 栅极电流的振幅: 门极电流(IG)要比指定的最大门触发电流高得多(IGTmax)。此参数是温度Tj = 25度时给定的。 在较低的温度下,用曲线表现为门极触发电流随温度的相对变化。设计预期的最低工作温度的栅极驱动。高IG值提供了一个高效2)。 作为一个实际的原则,我们建议: 这里: VDD (min) = minimum value of the power supply VDD(最小)=电源电压的最小值 VOL = output voltage of the microcontroller (at 0 logic level) VOL=微处理器的输出电压 VG = voltage across the gate of the triac. Take the specified VGT. 在双向晶闸管的栅极电压。采取指定的VGT IG = required gate current (IG 2. IGT max) 所需的栅极电流 栅极电流持续时间: (对于ON-OFF开关) 采用栅电流Ig直到负载电流达到闭锁电流(IL)

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