高压器件ESD防护.pptVIP

LDMOS LDMOS在ESD应力下的电学响应 3、寄生NPN触发 器件雪崩击穿后随着电压进一步增大，雪崩电流急剧增加，如图从BV到A点，当电流达到一定程度，Im在 上形成足够大电势差，当电势差超过0.7V左右时，Pbody/N+结正偏，NPN晶体管开启，大量的电子从N+源端注入到体内并最终被漏极收集。此时器件发生snapback，器件进入电压维持区。使得器件内部寄生三极管开启的电压Vt1就是其触发电压。 4、维持阶段 当体内寄生三极管导通后，源端N+发射大量电子并被漏端高电势扫入耗尽区，在高电场加速下这些电子碰撞晶格，产生大量电子空穴对，这部分空穴电流同样从Pbody流向漏端，从而增大基极电流，用Ihole表示，一方面由于三极管放大作用，源端发射更多电子电流，因而器件内阻减小器件两端压降降低；另一方面，维持三极管开启所需要的Im变小，器件两端的电压变小都可以维持器件处于寄生三极管开启状态。 LDMOS LDMOS在ESD应力下的电学响应 5、LDMOS发生二次击穿 电流随着TLP脉冲不断的增加，器件内部碰撞电离率加剧，电流也越来越大。直到产生的热量到达器件硅的晶格熔点，器件失效，进入二次击穿区。所以，器件内部热量产生最高也最需要研究的阶段是电压维持区。这是优化器件的ESD响应的基础。 LIGBT LIGBT 图4-1 LIGBT在ESD应力下的电学响应I-V曲线