(定)硅化物及其薄膜在微电子学中的应用资料.doc

硅化物薄膜在微电子学及其应用 Shyam P. Murarka Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA (Received 7 February 1994; accepted 4 June 1994) 在本文讨论了金属硅化物与其他硅元素化合物的Ⅳ族元素导电过渡的有效性及其薄膜在微电子学中的应用。下面简要描述设备的结构、接触电阻、互连延迟(硅化物用于降低这些关键性能参数的设备和集成电路)、所需的材料特性,对于硅化物的薄膜的制备进行了简要回顾,对于外延硅化物和硅化物的稳定性进行了讨论。结果表明硅化物甚至GaAs的高导电性、低阻抗、高温稳定性及耐腐蚀方面应用在微电子方面有着极大的优势。它们材料广泛、性能可靠，显示出继续应用的潜能,无论是下降的设备还是硅环形集成电路中。它们提供了生产三维器件/环形结构的可能性，并且明显的提高了异质结期间的速度。 关键词:硅化物、薄膜、钴硅化物,集成电路,电子 一 元素周期表中硅化物与其他元素硅的化合物。他们涵盖所有的化合物，这作者的最喜欢的图,所谓的硅化物周期表(图l)（1）。这些化合物的分子氧硅化物(SiO2),俗称二氧化硅,二氧化硅是地球的主要组成部分，也是硅集成电路成功的关键材料。硅的化合物与氢、碳、氮、卤素也在集成电路中扮演着重要的角色。CSi,俗称硅硬质合金,是一种潜