第4章-光电探测原理及器件精读.ppt

学习要求 4.1.1 外光电效应 在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，也称为光电发射效应。 光电发射效应多发生于金属和金属氧化物，向外发射的电子称为光电子。 基于光电发射效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。 最重要的公式是爱因斯坦光电效应方程。 外光电效应 爱因斯坦光电效应方程 式中：hv为单个光子的能量；m为电子质量； v0为电子逸出速度；A0为物体表面电子逸出功。 可知，光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功A0。 不同的物质具有不同的逸出功，即每一种物质都有一个对应的光频阈值，称为红限频率（或截止频率。 光电子发射的红限频率为 对应的波长限为 式中：c为真空中的光速， 为产生光电子发射的入射光波的截止频率， 为产生光电子发射的入射光波的截止波长。 讨论 若入射光线频率低于红限频率（截止频率），光子能量不足以使物体内的电子逸出，即使光强再大也不会产生光电子发射；反之，入射光频率高于红限频率，即使光线微弱，也会有光电子射出。 当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强成正比，即光强愈大，意味着入射光子数目越多，逸出的电子数也就越多。 4.1.2 内光电效应 当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象称为内光电效应，它多发生于半导体内。 根据工作