武汉大学制备2晶体的生长答案.ppt

晶体的生长 材料物理制备基础 第三讲 制造半导体器件的材料绝大部分是单晶体（体单晶、薄膜单晶）。因此晶体生长的理论和试验对于半导体材料的研制是一个极为重要的课题。 目录 一、晶体生长基础 1、晶体生长的四三种方式；2、晶体生长的热力学条件； 3、晶核的形成； 4、晶核的长大； 二、硅、锗单晶生长 1、直拉法； 2、区熔法； 3、形状可控薄膜晶体生长法；4；横拉法； 1、晶体生长的三种方式： 1）固相生长：通过固—固相转变完成晶体的生长过程。例如：石墨—高温、高压—金刚石；微晶硅—激光照射—单晶硅薄膜； 一、晶体生长基础 2）液相生长：包括溶液中生长和熔体中生长两种。在半导体材料的制备中,GaAs液相外延生长为典型的溶液生长过程。硅、锗等晶体的生长则为典型的从熔体生长晶体的过程。 3）气相生长：由气体向晶体转变的气—固相转变的过程、气体的凝华过程、材料制备中的化学气相沉积（CVD）方法均属于这类生长方式。 晶体生长是一个动态的过程，是从非平衡态向平衡态过渡的过程。当体系达到两相热力学平衡时2`，并不能产生新相，只有在旧相处于过饱和（过冷 2 ）状态时，才会出现新相。 2、晶体形成的热力学条件 p—T相图中分为分为气（V）、液（L）、固（S）三个相区，在任何两相相区之间均有相应的亚稳区（阴影区）。当热力学条件处于亚稳区才能有新相产生