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* 第4章 定向凝固中的温度场和溶质场 4.1 定向凝固中的溶质场和温度场 方程中左边为控制单元体的溶质变化,右边第一项和第二项为从x0位置处传入的溶质和从x0+?x传出的溶质,其中J(x0,?)为位置为x0,?时刻的溶质流量密度,而第三项为单元体中存在源或黑洞产生或消耗溶质的部分。 x0x1x0+?x; x0x2x0+?x ?x?0 J=J1+J2 J1=-D?c/?x (扩散造成的通量) J2=cV (对流造成的通量) q1=-D?C q2=CV 4.1.1 定向凝固中的温度场 忽略流动,仅考虑传热: 仅考虑一维传热: 采用FTA近似: 解的形式为: 边界及初始条件为: z=0, AS=T0 z=s, 一维定向凝固铸件中的温度场解析 不同凝固条件下的溶质分凝 溶质保守系统的一维定向凝固过程(a)和非溶质保守系统的区熔过程(b) (a) 平衡凝固的情况(Equilibrium freezing) 凝固足够慢,液相和固相都能充分扩散,没有成分梯度存在于固相和液相中。根据溶质守恒有: CSfS+CL(1-fS)=C0 CS[fS+(1-fS)/k0]=C0 CS=C0k0/(1+(k0-1)fS) 方程中CS为凝固的固相成分,C0为原始液相成分,k0为平衡溶质分布系数,fs为已凝固的固相分数,因此只要知道C0、k0就可以计算不同凝固位置fs下的成分Cs。 (b) 液相完全混合的情况 (Complete mixing) (c) 液相中没有混合的情况(No mixing) 界面处排出的成分只能通过液相扩散进行,而固相中无溶质扩散,则溶质达到稳态分布的情况 z’=z+Vt 边界条件: z=0,CL(0)=CS/k0;z=?,CL(?)=C0 液相中没有混合的情况(No mixing) 对流对溶质分凝的影响 边界条件: [CL(0)-CS]V+D[dCL(z)/dz]?z=0=0, z=0; CL(?)=C0, z=?; 部分混合的情况(Partial mixing) 图6-11 TiO2晶体中SiO2溶质在界面上的分布 初始过渡区到稳态过程中的溶质分凝 速度改变时液相溶质梯度的变化 以及溶质非稳态的演化过程(V2V1) (a)k0=0.5, (b) k0=0.1,(c) k0=0.01 (a)宏观状态 (b)外部 (c)内部 图6-21 (110)单晶Si面中掺杂Al溶质造成的宏观和微观生长条纹 B为籽晶旋转而A为籽晶不旋转的情况 非溶质保守系统 图6-30不同的非溶质保守系统工艺 图6-31非溶质保守系统中溶质分布 溶质分布(分配)系数 1、平衡溶质分布系数(k0) *
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